研究課題
若手研究
本研究ではシリコン大規模集積回路(Si-LSI)の持続的な性能向上のため、良好な電子・光学特性を有するゲルマニウム(Ge)系材料を用いた光電融合デバイスの基盤技術確立を目的とする。絶縁膜上でのGe系薄膜の高品位形成や周期的ナノ構造への発展、そしてデバイス実証を目指し、申請者の有するシーズ技術を融合させて研究を進める。これにより、チップ間光通信素子だけでなく、高集積なチップ内部にまで発受光素子を集積することが可能となり、光のみで演算する光LSIや、高集積かつ室温動作可能な光量子LSIなど、従来のロードマップに載らない新構造・原理のLSIへの発展をも可能とする基盤技術の実現を目指す。