高信頼性有機半導体デバイス実現に向けた非接触・in-situ二次元評価法の確立

• 研究課題/領域番号: 23K13667
• 研究種目: 若手研究
• 配分区分: 基金
• 審査区分: 小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
• 研究機関: 福井大学
• 研究代表者: 今林 弘毅 福井大学, 学術研究院工学系部門, 助教 (10906324)
• 研究期間 (年度): 2023-04-01 – 2026-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2023年度)
• 配分額: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円); 2025年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円); 2024年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円); 2023年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
• キーワード: 有機半導体 / 非接触・in-situ二次元評価 / 界面反応 / 界面顕微光応答法 / 信頼性評価

研究開始時の研究の概要

本研究では、金属と半導体界面の電気的特性をマッピング評価できる界面顕微光応答法を用いて、塗布により形成した有機半導体薄膜と金属電極の界面における劣化機構を明らかにする。本手法の特徴を活かし、「熱」や「電流・電圧印加」による劣化を「二次元的」に「その場測定」を行う。他の手法では評価できない電気的特性の不均一を測定し、信頼性を低下させる環境やプロセスを評価、界面反応や不純物といった有機半導体デバイスの劣化の起点となる因子を明らかにする。有機デバイスの長寿命化に向けた知見を得る試みである。