研究課題
若手研究
次世代パワーデバイスとして有望視されているGaNの物性解明やデバイス性能の向上には高品質なGaN基板が求められる。しかしながら、その伝導型は不純物添加によるn型と半絶縁に限られており、p型GaN基板は実現されていない。本研究では、p型GaN基板の実現に向けて、厚膜成長および不純物添加に適したハライド気相成長(HVPE)法に着目した。HVPE成長条件の探索と作製したp型GaN厚膜の特性を精密に調べることによって、p型GaN基板の実現を目指す。