多結晶Geの物性評価とデバイス応用のためのpn接合形成技術の構築

• 研究課題/領域番号: 23K13674
• 研究種目: 若手研究
• 配分区分: 基金
• 審査区分: 小区分30010:結晶工学関連
• 研究機関: 九州大学
• 研究代表者: 茂藤 健太 九州大学, 総合理工学研究院, 学術研究員 (70896191)
• 研究期間 (年度): 2023-04-01 – 2025-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2023年度)
• 配分額: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円); 2024年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円); 2023年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
• キーワード: ゲルマニウム / 多結晶 / 薄膜 / pn接合

研究開始時の研究の概要

合成温度の低い多結晶Ge薄膜は、低耐熱なガラスやプラスチック等あらゆるモノに電子デバイスを作り込むことのできるポテンシャルを持つ材料であり、申請者は単結晶に迫る高いキャリア移動度を有する多結晶Ge薄膜を実現した。本研究では、多結晶Geのデバイス応用に向けて重要な要素でありながら、その劣悪な膜特性により未開拓であったpn接合に焦点を絞り、pn接合ダイオードの動作実証と共にその基礎特性を明らかにする。さらにpn接合の形成により、初めて可能となる種々の評価（過渡応答分光法、電子線誘起電流法）により、多結晶Ge薄膜の物性の深化を目指す。