研究課題/領域番号 |
23K13761
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研究種目 |
若手研究
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配分区分 | 基金 |
審査区分 |
小区分34010:無機・錯体化学関連
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研究機関 | 電気通信大学 |
研究代表者 |
吉田 健文 電気通信大学, 燃料電池・水素イノベーション研究センター, 特任准教授 (40866472)
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研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2026-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2023年度)
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配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2025年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2024年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2023年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
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キーワード | 錯体化学 / 分子磁性 / ランタノイド / 相互作用 / ヘテロ金属錯体 |
研究開始時の研究の概要 |
急速なデジタル化に伴い高密度記憶媒体が必要とされている。実施者はf電子を制御する新しいコンセプトであるランタノイド(Ln)-Ptイオン間のドナーアクセプター相互作用を用い、本来、単分子のガドリニウム錯体が示さない遅い磁化緩和を発現させた。その過程において共鳴非弾性X線散乱(RIXS)測定により、金属間距離や理論計算からは相互作用がないと判断される錯体においても、相互作用があることを明らかにし、実際の物性を説明することが可能になった。本研究では、新たなLn-M錯体(M:遷移金属)を合成し、金属の違いによる系統的な変化を実験的・理論的な電子密度データの取得により相互作用の再評価を行っていく。
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