6N高純度銅を用いた低コスト・40T級強磁場発生装置の開発

• 研究課題/領域番号: 23K17666
• 研究種目: 挑戦的研究(萌芽)
• 配分区分: 基金
• 審査区分: 中区分13:物性物理学およびその関連分野
• 研究機関: 東京大学
• 研究代表者: 小濱 芳允 東京大学, 物性研究所, 准教授 (90447524)
• 研究期間 (年度): 2023-06-30 – 2025-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2023年度)
• 配分額: 6,370千円 (直接経費: 4,900千円、間接経費: 1,470千円); 2024年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円); 2023年度: 4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
• キーワード: 強磁場 / 磁場発生技術 / ヘリウムフリー / 産業応用 / ロングパルス

研究開始時の研究の概要

ヘリウムを使わない強い磁場の発生およびその利用は産業応用および学術的にも広く必要とされている研究題目である．本研究では研究代表者が開発したスーパーキャパシタによるロングパルス磁場発生技術に組み合わせるコイルを改良し，この研究題目の達成を目指す．
本研究では低負荷コイルを作成し，これとスーパーキャパシタを組み合わせることで強磁場を発生する．低負荷コイルは，低残留抵抗の高純度銅等により構成され，液体窒素温度以下に冷却することで実現させる．ヘリウムフリーの冷凍機や，繰り返し磁場の発生が可能な充放電器でテストし，本手法がこれまでの磁場発生技術に改革を起こしうる新技術であるかを調査する．