| 研究課題/領域番号 |
23K17863
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| 研究種目 |
挑戦的研究(萌芽)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 審査区分 |
中区分28:ナノマイクロ科学およびその関連分野
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
吾郷 浩樹 九州大学, グローバルイノベーションセンター, 教授 (10356355)
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| 研究期間 (年度) |
2023-06-30 – 2025-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2023年度)
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| 配分額 *注記 |
6,500千円 (直接経費: 5,000千円、間接経費: 1,500千円)
2024年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
2023年度: 3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円)
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| キーワード | 六方窒化ホウ素 / 磁気トンネル接合素子 / トンネル磁気抵抗 / 化学蒸着法 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
磁気トンネル接合（MTJ）素子は、トンネル磁気抵抗（TMR）効果と呼ばれる大きな磁気抵抗を示し、MRAMやHDの磁気ヘッドから超高感度磁気センサーまで幅広い応用が進んでいる。代表的なMTJ素子の絶縁層として、酸化マグネシウム（MgO）のエピタキシャル膜が広く知られているが、本研究では最先端の二次元絶縁体である六方晶窒化ホウ素（hBN）を用いて、次世代MTJ素子としての可能性を探索する。特に、当該研究者の有する多層hBNの化学気相成長（CVD）合成技術と組み合わせることで、高い磁気抵抗比を実現し、二次元材料によるイノベーションにつなげていく。
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