研究課題
挑戦的研究(萌芽)
本研究課題では、現在用いられている昇華法よりも低い温度でAlN単結晶を作製する技術の開発を目標として研究を行う。Alを含んだ二元系合金をAlの蒸発源として用いることで、昇華法よりも低い温度でAl蒸気を発生させる。本課題により、低いコストでのバルクAlN単結晶成長が実現し、安価なバルクAlN単結晶が供給できれば、次々世代のパワー半導体デバイスの開発に大きく貢献することができる。