高濃度ドープによる面内ヘテロ型二次元トンネルトランジスタの開発

• 研究課題/領域番号: 23K19193
• 研究種目: 研究活動スタート支援
• 配分区分: 基金
• 審査区分: 0402:ナノマイクロ科学、応用物理物性、応用物理工学およびその関連分野
• 研究機関: 東北大学
• 研究代表者: 小倉 宏斗 東北大学, 工学研究科, 助教 (60983327)
• 研究期間 (年度): 2023-08-31 – 2025-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2023年度)
• 配分額: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円); 2024年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円); 2023年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
• キーワード: 遷移金属ダイカルコゲナイド / トンネルトランジスタ / ヘテロ接合

研究開始時の研究の概要

本研究では、二次元半導体の面内ヘテロ接合による高性能トンネルトランジスタの実現を目指す。申請者は、高濃度にキャリアドープした層状半導体の多層結晶による面内ヘテロ接合を作製し、接合界面におけるトンネル電流の実証に世界で初めて成功した。本研究では、ゲート電圧によるスイッチング動作の制御性に優れた単層膜に焦点を当て、高濃度ドープおよびヘテロ接合の作製を行い、面内ヘテロ型のトンネルFETの高性能化を目指す。これにより、将来の超低消費電力デバイスの実現に向けた研究基盤を構築する。