研究課題/領域番号 |
23K20253
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分21010:電力工学関連
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研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
研究代表者 |
小倉 政彦 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 主任研究員 (80356716)
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研究分担者 |
西村 智朗 法政大学, イオンビーム工学研究所, 教授 (80388149)
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研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2025-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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配分額 *注記 |
2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
2024年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
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キーワード | イオン注入 / パワーデバイス / ダイヤモンド / 伝導性制御 / 半導体 |
研究開始時の研究の概要 |
ダイヤモンドは低損失で耐環境な次世代パワーデバイスの材料として嘱望されているが、デバイスプロセスに不可欠なイオン注入技術の適用が難しいとされてきた。本研究では、ホッピング伝導を有する高濃度ドーパント領域作製にイオン注入技術を適用を活用することによりこの問題を解決するというコンセプトのもと、必要な技術を構築するために、モチーフデバイス作製・特性評価等を通して課題を洗い出し、フィードバック・最適化を行う。
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