研究課題/領域番号 |
23K20927
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分21010:電力工学関連
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研究機関 | 筑波大学 |
研究代表者 |
岩室 憲幸 筑波大学, 数理物質系, 教授 (50581203)
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研究分担者 |
原田 信介 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 副研究センター長 (20392649)
矢野 裕司 筑波大学, 数理物質系, 准教授 (40335485)
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研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2025-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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配分額 *注記 |
3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
2024年度: 3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
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キーワード | SiC MOSFET / 高信頼性特性 / 負荷短絡 / 機械応力 / 残留ダメージ |
研究開始時の研究の概要 |
本研究は、インテリジェント機能(異常検知・保護機能)を有したSiC-MOSFETの長期信頼性実現に関する研究である。SiC-MOSFETが負荷短絡状態になると、半導体材料だけでなく、半導体以外の周辺部に大きなダメージが生じ、それにより長期信頼性の劣化が問題になることを2020年に突き止めた。本研究ではこれをさらに発展させ、SiC-MOSFET素子内の構成部材の違いによる線膨張係数差に起因した機械的応力と、負荷短絡状態で素子に印加される高電圧・大電流といった電気的負荷との相関性を、詳細なTCADシミュレーション技術と素子評価を通して解析する。そして高信頼性実現のための設計指針を明らかにする。
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