研究課題/領域番号 |
23K20960
|
研究種目 |
基盤研究(B)
|
配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
|
研究機関 | 徳島大学 |
研究代表者 |
永瀬 雅夫 徳島大学, 大学院社会産業理工学研究部(理工学域), 教授 (20393762)
|
研究分担者 |
影島 博之 島根大学, 学術研究院理工学系, 教授 (70374072)
大野 恭秀 徳島大学, 大学院社会産業理工学研究部(理工学域), 准教授 (90362623)
|
研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2025-03-31
|
研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
|
配分額 *注記 |
2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
2024年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
|
キーワード | グラフェン / テラヘルツ / SiC基板 / 積層接合 |
研究開始時の研究の概要 |
単結晶グラフェンを用いた高出力テラヘルツLEDの実現を目指す。SiC基板上にエピタキシャル成長した単結晶グラフェン同士を直接接合するこ とにより積層接合を形成する。接合部に一定以上の電圧を印加するこによりホット化されたキャリアをグラフェンに注入することによりプラズ モンを直接誘起することを目指す。誘起したプラズモンとグラフェンのフォノンをカップリングさせることによりテラヘルツ放射を実現する。
|