研究課題/領域番号 |
23K20962
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
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研究機関 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
研究代表者 |
岩崎 拓哉 国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター, 独立研究者 (50814274)
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研究分担者 |
早川 竜馬 国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター, 主幹研究員 (90469768)
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研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2025-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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配分額 *注記 |
1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2024年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
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キーワード | グラフェン / 六方晶窒化ホウ素 / モアレ超格子 / 量子ドット / 単一電子輸送 |
研究開始時の研究の概要 |
二層グラフェンおよび六方晶窒化ホウ素(hBN)との積層によるモアレ超格子を基に、量子ポイントコンタクト、量子ドット型ゲート電極を有するデバイスを作製し、コンダクタンスの量子化やクーロンブロッケード特性、二重量子ドットにおける少数電子状態の観測を目標に研究を進める。昨年度、二層グラフェン/hBN積層ヘテロ構造のデュアルゲート型デバイスにおいてバンドギャップおよびバレー流の制御を実証した。また量子ポイントコンタクト、量子ドット構造素子の作製プロセスの最適化を進めた。今後は微細構造素子の低温電子輸送測定を行い、コンダクタンス量子化や電子閉じ込めの観測を目指す。
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