研究課題/領域番号 |
23K21050
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分26050:材料加工および組織制御関連
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研究機関 | 東京工業大学 |
研究代表者 |
曽根 正人 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 教授 (30323752)
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研究分担者 |
細田 秀樹 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 教授 (10251620)
チャン ツォーフーマーク 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 准教授 (10647069)
黒子 弘道 奈良女子大学, 工学系, 教授 (20221228)
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研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2025-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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配分額 *注記 |
3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
2024年度: 3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
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キーワード | 電気化学反応 / 電気めっき / 超臨界流体 / 二酸化炭素 / 電析 |
研究開始時の研究の概要 |
本研究では、超臨界二酸化炭素と電解質溶液との乳濁状態を電気化学反応場とする超臨界ナノプレーティング(SNP)法を用いることにより、金属・無機・有機材料のナノ空間にナノメートルの無欠陥かつ均一な金属を被覆を実現するめっき金属成長制御の学理を構築することを目的とする。具体的には、超臨界電気化学反応用回転電極セルを創成することにより、電気化学及び流体工学的に反応解析し、その成果をもとに、金属成長機序を解明する。本研究により、新規超臨界電気化学反応用回転電極セルが作製され、電気化学反応の詳細が解明され、同時にナノレベルの金属被覆が実現した。
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