研究課題/領域番号 |
23K21051
|
研究種目 |
基盤研究(B)
|
配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分26050:材料加工および組織制御関連
|
研究機関 | 大阪大学 |
研究代表者 |
節原 裕一 大阪大学, 接合科学研究所, 教授 (80236108)
|
研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2025-03-31
|
研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
|
配分額 *注記 |
3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
2024年度: 3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
|
キーワード | 反応性プラズマ / 低温プロセス / 酸化物半導体 |
研究開始時の研究の概要 |
本研究は、酸化物半導体薄膜トランジスタ形成を研究対象とし、独自の高密度プラズマ発生・制御技術に基づいて新たなプロセス制御技術を開拓して、従来のプロセスが抱える課題をブレークスルーすることにより、次世代フレキシブルデバイスの実現に向けた新たなプロセス技術の創成を目指す。
|