研究課題/領域番号 |
23K21066
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分28020:ナノ構造物理関連
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研究機関 | 東京電機大学 |
研究代表者 |
森山 悟士 東京電機大学, 工学部, 教授 (00415324)
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研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2025-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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配分額 *注記 |
2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
2024年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
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キーワード | グラフェン / 超格子 / 六方晶窒化ホウ素 / TMDC / ファンデルワールス積層技術 |
研究開始時の研究の概要 |
本研究は,グラフェンと六方晶窒化ホウ素の積層構造で形成されるモアレ超格子系をチャネルとしたデバイスを中心に,異種の機能を持つ原子層材料を積層化した電子素子を開発する。原子層材料を用いた量子情報処理システムやエレクトロニクスへの応用に関して,物理現象の解明から基本設計・デバイス化までの基盤技術を確立し,さらに超格子構造で発現する,バレーという量子自由度を操作する新しいエレクトロニクスへの展開,超伝導やトポロジカル物性を活かした量子機能の実現を目指す研究である。
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