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III属窒化物半導体のイオン注入不純物活性化機構の解明と点欠陥制御

研究課題

研究課題/領域番号 23K21082
補助金の研究課題番号 21H01826 (2021-2023)
研究種目

基盤研究(B)

配分区分基金 (2024)
補助金 (2021-2023)
応募区分一般
審査区分 小区分30010:結晶工学関連
研究機関筑波大学

研究代表者

上殿 明良  筑波大学, 数理物質系, 教授 (20213374)

研究分担者 石橋 章司  国立研究開発法人産業技術総合研究所, 材料・化学領域, キャリアリサーチャー (30356448)
秩父 重英  東北大学, 多元物質科学研究所, 教授 (80266907)
奥村 宏典  筑波大学, 数理物質系, 助教 (80756750)
研究期間 (年度) 2021-04-01 – 2025-03-31
研究課題ステータス 交付 (2024年度)
配分額 *注記
17,290千円 (直接経費: 13,300千円、間接経費: 3,990千円)
2024年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
2023年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
2022年度: 5,980千円 (直接経費: 4,600千円、間接経費: 1,380千円)
2021年度: 5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
キーワードIII属窒化物半導体 / イオン注入 / 点欠陥 / 陽電子消滅 / 不純物活性化 / フォトルミネッセンス / II属窒化物半導体 / III族窒化物半導体
研究開始時の研究の概要

現在、III属窒化物半導体のイオン注入によるキャリア制御技術の確立が急がれている。GaNついては、従来から素子分離ないしはn型領域を形成するためにイオン注入は使われてきたが、p型領域をイオン注入で形成することは難しかった。本研究の目的は、III属窒化物半導体のイオン注入により導入された点欠陥の同定とその焼鈍挙動を、陽電子消滅、フォトルミネッセンス、カソードルミネッセンス法等により研究し、ドーパント活性化機構と点欠陥の関係を学術的に解明することにある。

研究実績の概要

半導体デバイスとして使用されるIII属窒化物半導体のイオン注入により導入された点欠陥の同定とその焼鈍挙動を、点欠陥を直接検出することができる手法である陽電子消滅、また、フォトルミネッセンス、カソードルミネッセンス法、電気的特性評価等により研究する。得られた結果から、窒化物半導体の点欠陥の挙動、各種ドーパントとの相互作用を解明することが本研究の目的である。また、ドナー、アクセプターとして機能する原子だけでなく、活性化を阻害ないしは促進すると考えられている元素についてもイオン注入を行い、欠陥の回復過程にどのような影響を与えるかを調べる。
陽電子は物質中に入射すると電子と消滅しγ線が放出される。γ線のエネルギー分布や陽電子寿命を測定することにより、空孔型欠陥を検出する。陽電子消滅計算シミュレーションの結果と実験結果を比較することにより、空孔型欠陥の種類(サイズ、不純物との複合状態等)についての詳しい情報が得られる。
本研究により、陽電子消滅と他の欠陥に敏感な手法を組み合わせることにより、注入不純物の活性化、拡散、等について詳細に研究する。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

2: おおむね順調に進展している

理由

本年度はGaN及びAlN中の空孔型欠陥に関する研究を実施した。
GaN中のZnの拡散機構を研究するため、c、m、a方向に成長した結晶にZnイオンを230 keVで注入、50 nm付近で1E21 /cm3となるZnの深さ分布を得た。イオン注入後、試料を1 GPaの窒素圧力下で、1250℃から1360℃まで焼鈍した。陽電子消滅、フォトルミネッセンス、X線回折、SIMSを用いてZnの拡散と欠陥の関係を研究した。この結果、Znの拡散は、結晶方位、空孔型欠陥の深さ分布に大きな影響を受けることが分かった。また、Znのmigration energy を決定、また、空孔型欠陥との相関性について詳しい結果を得た。
AlNにMgイオンを10 keVから90 keVの範囲で注入、100 nm付近で2E19 /cm3のAl分布を形成した。試料を1400℃まで窒素雰囲気で焼鈍し、空孔型欠陥の挙動を評価した。1500℃焼鈍した試料で電流電圧特性を計測したところ、室温でバイアス電圧100 Vのとき1.1 nA、300℃でバイアス電圧10 Vのとき7 nAの電流を得た。

今後の研究の推進方策

GaNへMg及びNイオンを注入することにより導入された空孔型欠陥を検出する。イオン注入後に,高圧力下で焼鈍することにより,空孔型欠陥の焼鈍特性を評価する。特に、焼鈍に伴うMgの深さ分布の変化と空孔型欠陥の関係、また、焼鈍中に導入される水素の関係を明らかにするとともに、欠陥のキャリア捕獲機構について研究する。

報告書

(3件)
  • 2023 実績報告書
  • 2022 実績報告書
  • 2021 実績報告書
  • 研究成果

    (43件)

すべて 2024 2023 2022 2021 その他

すべて 国際共同研究 (3件) 雑誌論文 (13件) (うち国際共著 5件、 査読あり 13件、 オープンアクセス 2件) 学会発表 (27件) (うち国際学会 14件、 招待講演 11件)

  • [国際共同研究] Institute of High Pressure Physics(ポーランド)

    • 関連する報告書
      2023 実績報告書
  • [国際共同研究] UNIPRESS(ポーランド)

    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
  • [国際共同研究] Institute of High Pressure Physics(ポーランド)

    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
  • [雑誌論文] Vacancy-type defects in AlInN/AlN/GaN structures probed by monoenergetic positron beam2023

    • 著者名/発表者名
      Uedono Akira、Kimura Yasuki、Hoshii Takuya、Kakushima Kuniyuki、Sumiya Masatomo、Tsukui Masayuki、Miyano Kiyotaka、Mizushima Ichiro、Yoda Takashi、Tsutsui Kazuo
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 133 号: 22

    • DOI

      10.1063/5.0153128

    • 関連する報告書
      2023 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Fabrication of AlGaN/GaN heterostructures on halide vapor phase epitaxy AlN/SiC templates for high electron mobility transistor application2023

    • 著者名/発表者名
      Sumiya Masatomo、Goto Osamu、Takahara Yuki、Imanaka Yasutaka、Sang Liwen、Fukuhara Noboru、Konno Taichiro、Horikiri Fumimasa、Kimura Takeshi、Uedono Akira、Fujikura Hajime
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 62 号: 8 ページ: 085501-085501

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ace671

    • 関連する報告書
      2023 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Analysis of Zn diffusion in various crystallographic directions of GaN grown by HVPE2023

    • 著者名/発表者名
      Sierakowski Kacper、Jakiela Rafal、Jaroszynski Piotr、Fijalkowski Michal、Sochacki Tomasz、Iwinska Malgorzata、Turek Marcin、Uedono Akira、Reshchikov Michael A.、Bockowski Michal
    • 雑誌名

      Materials Science in Semiconductor Processing

      巻: 167 ページ: 107808-107808

    • DOI

      10.1016/j.mssp.2023.107808

    • 関連する報告書
      2023 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Mg implantation in AlN layers on sapphire substrates2023

    • 著者名/発表者名
      Okumura Hironori、Uedono Akira
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 62 号: 2 ページ: 020901-020901

    • DOI

      10.35848/1347-4065/acb898

    • 関連する報告書
      2023 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Annealing properties of vacancy-type defects in ion implanted GaN during ultra-high-pressure annealing studied by using a monoenergetic positron beam2023

    • 著者名/発表者名
      Uedono Akira、Sakurai Hideki、Uzuhashi Jun、Narita Tetsuo、Sierakowski Kacper、Ishibashi Shoji、Chichibu Shigefusa F.、Bockowski Michal、Suda Jun、Ohokubo Tadakatsu、Ikarashi Nobuyuki、Hono Kazuhiro、Kachi Tetsu
    • 雑誌名

      Proc. SPIE 12421, Gallium Nitride Materials and Devices

      巻: XVIII ページ: 25-25

    • DOI

      10.1117/12.2646233

    • 関連する報告書
      2023 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Effects of Hydrogen Incorporation on Mg Diffusion in GaN‐Doped with Mg Ions via Ultra‐High‐Pressure Annealing2022

    • 著者名/発表者名
      Narita Tetsuo、Uedono Akira、Kachi Tetsu
    • 雑誌名

      physica status solidi (b)

      巻: 259 号: 11 ページ: 2200235-2200235

    • DOI

      10.1002/pssb.202200235

    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Atomic resolution analysis of extended defects and Mg agglomeration in Mg-ion-implanted GaN and their impacts on acceptor formation2022

    • 著者名/発表者名
      Kano Emi、Kataoka Keita、Uzuhashi Jun、Chokawa Kenta、Sakurai Hideki、Uedono Akira、Narita Tetsuo、Sierakowski Kacper、Bockowski Michal、Otsuki Ritsuo、Kobayashi Koki、Itoh Yuta、Nagao Masahiro、Ohkubo Tadakatsu、Hono Kazuhiro、Suda Jun、Kachi Tetsu、Ikarashi Nobuyuki
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 132 号: 6 ページ: 065703-065703

    • DOI

      10.1063/5.0097866

    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Effect of Ultra‐High‐Pressure Annealing on Defect Reactions in Ion‐Implanted GaN Studied by Positron Annihilation2022

    • 著者名/発表者名
      Uedono Akira、Sakurai Hideki、Uzuhashi Jun、Narita Tetsuo、Sierakowski Kacper、Ishibashi Shoji、Chichibu Shigefusa F.、Bockowski Michal、Suda Jun、Ohkubo Tadakatsu、Ikarashi Nobuyuki、Hono Kazuhiro、Kachi Tetsu
    • 雑誌名

      physica status solidi (b)

      巻: 259 号: 10 ページ: 2200183-2200183

    • DOI

      10.1002/pssb.202200183

    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Impurity diffusion in ion implanted AlN layers on sapphire substrates by thermal annealing2022

    • 著者名/発表者名
      Okumura Hironori、Watanabe Yasuhiro、Shibata Tomohiko、Yoshizawa Kohei、Uedono Akira、Tokunaga Hiroki、Koseki Shuuichi、Arimura Tadanobu、Suihkonen Sami、Palacios Tom?s
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 61 号: 2 ページ: 026501-026501

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ac47aa

    • 関連する報告書
      2022 実績報告書 2021 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著
  • [雑誌論文] Dopant activation process in Mg-implanted GaN studied by monoenergetic positron beam2021

    • 著者名/発表者名
      Uedono Akira、Tanaka Ryo、Takashima Shinya、Ueno Katsunori、Edo Masaharu、Shima Kohei、Kojima Kazunobu、Chichibu Shigefusa F.、Ishibashi Shoji
    • 雑誌名

      Scientific Reports

      巻: 11 号: 1

    • DOI

      10.1038/s41598-021-00102-2

    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] Optical and electrical properties of silicon-implanted α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>2021

    • 著者名/発表者名
      Okumura Hironori、Jinno Riena、Uedono Akira、Imura Masataka
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 60 号: 10 ページ: 106502-106502

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ac21af

    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Vacancy-type defects in bulk GaN grown by oxide vapor phase epitaxy probed using positron annihilation2021

    • 著者名/発表者名
      Akira Uedono, Junichi Takino, Tomoaki Sumi, Yoshio Okayama, Masayuki Imanishi, Shoji Ishibashi, Yusuke Mori
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 570 ページ: 126219-126219

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2021.126219

    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Improved minority carrier lifetime in p-type GaN segments prepared by vacancy-guided redistribution of Mg2021

    • 著者名/発表者名
      Shima K.、Tanaka R.、Takashima S.、Ueno K.、Edo M.、Kojima K.、Uedono A.、Ishibashi S.、Chichibu S. F.
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 119 号: 18 ページ: 182106-182106

    • DOI

      10.1063/5.0066347

    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
    • 査読あり
  • [学会発表] GaN成長層・Mgイオン注入層の室温フォトルミネッセンス寿命 (III)2024

    • 著者名/発表者名
      秩父重英,嶋紘平,上殿明良,石橋章司,田中亮,高島信也,上野勝典,江戸雅晴,渡邉浩崇,本田善央,須田淳,天野浩,加地徹,生田目俊秀,色川芳宏,小出康夫
    • 学会等名
      第71回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2023 実績報告書
  • [学会発表] GaN成長層・Mgイオン注入層の室温フォトルミネッセンス寿命 (II)2024

    • 著者名/発表者名
      秩父重英,嶋紘平,上殿明良,石橋章司,田中亮,高島信也,上野勝典,江戸雅晴,渡邉浩崇,本田善央,須田淳,天野浩,加地徹,生田目俊秀,色川芳宏,小出康夫
    • 学会等名
      第71回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2023 実績報告書
  • [学会発表] 低圧酸性アモノサーマル成長GaNのミッドギャップ再結合過程2024

    • 著者名/発表者名
      嶋紘平,上殿明良,石橋章司,石黒徹,秩父重英
    • 学会等名
      第71回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2023 実績報告書
  • [学会発表] Effect on QWs Qualities of Thickness of Homoepitaxial AlN on AlN/sapphire Prepared by Sputtering and High temperature Annealing2023

    • 著者名/発表者名
      R. Akaike, K. Uesugi, K. Shima, S. F. Chichibu, A. Uedono, and H. Miyake
    • 学会等名
      14th Int. Conf. Nitride Semiconductors
    • 関連する報告書
      2023 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Analysis of Zn diffusion in various crystallographic directions of GaN Grown by HVPE2023

    • 著者名/発表者名
      K. P. Sierakowski, R. Jakiela, P. Jaroszynski, M. Fijalkowski, T. Sochacki, M. Iwinska, M. Turek, A. Uedono, M. A. Reshchikov, and M. Bockowskie
    • 学会等名
      14th Int. Conf. Nitride Semiconductors
    • 関連する報告書
      2023 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Luminescence studies of Mg implanted and undoped GaN on GaN structures processed by ultra high pressure annealing2023

    • 著者名/発表者名
      K. Shima, T. Narita, K. Kataoka, S. Ishibashi, A. Uedono, M. Bockowski, J. Suda, T. Kachi, and S. F. Chichibu
    • 学会等名
      14th Int. Conf. Nitride Semiconductors
    • 関連する報告書
      2023 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Effect of ion implantation damage on photoluminescence from GaN2023

    • 著者名/発表者名
      M. A. Reshchikov, O. Andrieiev, M. Vorobiov, K. Sierakowski, R. Jakiela, P. Jaroszynski, A. Uedono, and M. Bockowsk
    • 学会等名
      32nd Int. Conf. Defects in Semiconductors
    • 関連する報告書
      2023 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Temporary and spatially resolved luminescence studies of p-GaN segments fabricated by vacancy-guided redistribution of Mg using sequential ion implantation of Mg and N2023

    • 著者名/発表者名
      K. Shima, R. Tanaka, S. Takashima, K. Ueno, M. Edo, A. Uedono, S. Ishibashi, and S. F. Chichibu
    • 学会等名
      21th Int. Workshop on Junction Technology
    • 関連する報告書
      2023 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Impacts of vacancy clusters on the luminescence dynamics in Mg implanted GaN on GaN structures2023

    • 著者名/発表者名
      S. F. Chichibu, A. Uedono, H. Iguchi, T. Narita, K. Kataoka, M. Bockowski, J. Suda, T. Kachi, S. Takashima, R. Tanaka, K. Ueno, M. Edo, S. Ishibashi, and K. Shima
    • 学会等名
      14th Int. Conf. Nitride Semiconductors
    • 関連する報告書
      2023 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] 陽電子を用いたワイドギャップ半導体結晶中の点欠陥評価2023

    • 著者名/発表者名
      上殿明良,石橋章司
    • 学会等名
      日本結晶成長学会特別講演会「結晶評価研究の最前線」
    • 関連する報告書
      2023 実績報告書
  • [学会発表] 陽電子消滅の基礎科学・材料評価2023

    • 著者名/発表者名
      上殿明良
    • 学会等名
      ナノテクノロジー国際標準化ワークショップ2023
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Impacts of vacancy clusters on the recombination dynamics in Mg-implanted GaN on GaN structures2023

    • 著者名/発表者名
      S. F. Chichibu, K. Shima, H. Iguchi, T. Narita, K. Kataoka, H. Sakurai, M. Bockowski, J. Suda, T. Kachi, S. Takashima, R. Tanaka, K. Ueno, M. Edo, S. Ishibashi, and A. Uedono
    • 学会等名
      SPIE Photonics West
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Annealing properties of vacancy-type defects in ion implanted GaN during ultra-high-pressure annealing studied by using a monoenergetic positron beam2023

    • 著者名/発表者名
      A. Uedono, H. Sakurai, J. Uzuhashi, T. Narita, K. Sierakowski, S. Ishibashi, S. F. Chichibu, M. Bockowski, and J. Suda
    • 学会等名
      SPIE Photonics West
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] 陽電子消滅を用いた半導体材料の点欠陥評価”,セミコンジャパン SEMIテクノロジーシンポジウム2023

    • 著者名/発表者名
      上殿明良
    • 学会等名
      東京ビックサイト
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] 超高圧アニールによる Mgイオン注入 p型GaNのルミネッセンス評価2022

    • 著者名/発表者名
      嶋紘平,櫻井秀樹,石橋章司,上殿明良,M. Bockowski,須田淳,加地徹,秩父重英
    • 学会等名
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
  • [学会発表] aN への Mg イオン注入により形成される結晶欠陥の原子分解能分析2022

    • 著者名/発表者名
      大築立旺,狩野絵美,片岡恵太,埋橋淳,櫻井秀樹,上殿明良,成田哲生,K. Sierakowski,M. Bockowski,小林功季,大久保忠勝,宝野和博,加地徹,五十嵐信行
    • 学会等名
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
  • [学会発表] GaNへの Mgイオン注入により形成される結晶欠陥とMg凝集のアクセプタ形成に与える影響2022

    • 著者名/発表者名
      狩野絵美,大築立旺,片岡恵太,埋橋淳,櫻井秀樹,上殿明良,成田哲生,K. Sierakowski,M. Bockowski,小林功季,大久保忠勝,宝野和博,加地徹,五十嵐信行
    • 学会等名
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
  • [学会発表] Point defects in ion implanted GaN and their role of dopant activation studied by positron annihilation spectroscopy2022

    • 著者名/発表者名
      A. Uedono and S. Ishibashi
    • 学会等名
      19th Int. Conf. Defects-Recognition, Imaging & Phys. Semicond.
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Defect characterization by positron annihilation spectroscopy2022

    • 著者名/発表者名
      A. Uedono
    • 学会等名
      J-FAST kick-off meeting
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Studies of native and process induced defects in GaN using positron annihilation spectroscopy2022

    • 著者名/発表者名
      A. Uedono, and S. Ishibashi
    • 学会等名
      19th Int. Conf. Positron Annihilation
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] 第43回優秀論文賞受賞記念講演 エピタキシャル成長及びイオン注入により作製されたGaN基板上Mg添加p型GaNの室温フォトルミネッセンス寿命2022

    • 著者名/発表者名
      秩父重英,嶋紘平,小島一信,高島信也,上野勝典,江戸雅晴,井口紘子,成田哲生,片岡恵太,石橋章司,上殿明良
    • 学会等名
      応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] 陽電子消滅を用いたMgイオン注入により形成したp型GaNのMg活性プロセスと空孔型欠陥の研究2022

    • 著者名/発表者名
      上殿明良,田中亮,高島信也,上野勝典,江戸雅晴,嶋紘平,小島一信,秩父重英,石橋章司
    • 学会等名
      第82回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
  • [学会発表] 空孔ガイドMg拡散法によるp型イオン注入GaNの空間分解CL評価2022

    • 著者名/発表者名
      嶋紘平, 田中亮, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 小島一信, 上殿明良, 秩父重英
    • 学会等名
      第82回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
  • [学会発表] Open spaces and vacancy-type defects in solid state materials probed by means of positron annihilation2022

    • 著者名/発表者名
      A. Uedono, M. Dickmann, W. Egger, C. Hugenschmidt, and S. Ishibashi
    • 学会等名
      Nuclear probes for materials, medicines and industry
    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Study of point defects in group-III nitrides by means of positron annihilation spectroscopy2022

    • 著者名/発表者名
      A. Uedono, M. Dickmann, W. Egger, C. Hugenschmidt, and S. Ishibashi
    • 学会等名
      MLZ User meeting
    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Carrier trapping by vacancies in semiconductors studied using positron annihilation spectroscopy2022

    • 著者名/発表者名
      A. Uedono, M. Dickmann, W. Egger, C. Hugenschmidt, and S. Ishibashi
    • 学会等名
      The joint MLZ and physics department lecture series
    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] 陽電子消滅を用いた材料の欠陥,自由体積の検出2022

    • 著者名/発表者名
      上殿明良
    • 学会等名
      コンピュータによる材料開発・物質設計を考える会
    • 関連する報告書
      2021 実績報告書
    • 招待講演

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公開日: 2021-04-28   更新日: 2024-12-25  

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