研究課題/領域番号 |
23K21083
|
研究種目 |
基盤研究(B)
|
配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分30010:結晶工学関連
|
研究機関 | 大阪公立大学 |
研究代表者 |
重川 直輝 大阪公立大学, 大学院工学研究科, 教授 (60583698)
|
研究分担者 |
嘉数 誠 佐賀大学, 理工学部, 教授 (50393731)
大野 裕 東北大学, 金属材料研究所, 特任研究員 (80243129)
梁 剣波 大阪公立大学, 大学院工学研究科, 准教授 (80757013)
|
研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2025-03-31
|
研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
|
配分額 *注記 |
2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
2024年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
|
キーワード | ダイヤモンド / シリコン / 接合界面 / 中間層 / 耐熱性 |
研究開始時の研究の概要 |
表面活性化接合により形成されるダイヤモンド/Si直接接合界面は両者の大きな熱膨張係数差にかかわらず1000℃の耐熱性を示す。熱処理時に形成される中間層が耐熱性実現の重要な役割を果たしていると予測される。本研究においては、高分解能電子顕微鏡観察、微小領域ラマン散乱測定、X線小角散乱などの先進的な評価手法を駆使し、界面のナノ構造、歪、通電時の自己発熱効果を測定する。界面の耐熱性や熱伝導特性において中間層が果たす役割を解明し、Si以外のIV族半導体との接合も含めて応用可能性を探索する。
|