研究課題/領域番号 |
23K22682
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分19020:熱工学関連
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研究機関 | 東京大学 |
研究代表者 |
大塚 慶吾 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 助教 (20823636)
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研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2026-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2025年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2024年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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キーワード | 単層カーボンナノチューブ / 結晶成長 / その場観察 / 電界効果トランジスタ / イメージング分光 |
研究開始時の研究の概要 |
カーボンナノチューブはシリコンに代わる次世代の半導体として期待され、その潜在能力を生かすべく、原子レベルの構造と集合体としての配列の両面から制御が進められている。応用に要求されるレベルに到達させるには、従来の試行錯誤から脱却し、構造ごとに異なる成長過程を数理モデルに落とし込むことが有効となる。本研究では、個々のナノチューブの成長過程を効率的にその場観察する技術を活用してモデルを構築し、モデルに従い実際に使えるナノチューブの合成を行うという新たな制御戦略を提案する。
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