研究課題/領域番号 |
23K22746
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補助金の研究課題番号 |
22H01475 (2022-2023)
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 基金 (2024) 補助金 (2022-2023) |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分21010:電力工学関連
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研究機関 | 東京都立大学 |
研究代表者 |
中川 雄介 東京都立大学, システムデザイン研究科, 准教授 (80805391)
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研究分担者 |
杤久保 文嘉 東京都立大学, システムデザイン研究科, 教授 (90244417)
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研究期間 (年度) |
2022-04-01 – 2025-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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配分額 *注記 |
18,330千円 (直接経費: 14,100千円、間接経費: 4,230千円)
2024年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2023年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2022年度: 14,820千円 (直接経費: 11,400千円、間接経費: 3,420千円)
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キーワード | 光解離 / プラズマ / 表面処理 / プラズマ化学反応 / ラジカル光解離 / 任意形状反応場 / プラズマ化学 / ラジカル / レーザー計測 |
研究開始時の研究の概要 |
大気圧プラズマは幅広い対象の化学処理が可能だが、化学処理を支配するラジカルの寿命が短く無効消費が多いという課題がある。これに対し、プラズマで生成される長寿命励起分子を処理対象近傍まで輸送した後、高強度UV光で解離して任意形状の強反応場を形成することで、化学処理の効率と自由度を大きく向上させる。光解離で生じるラジカルの特性を計測するとともに、本手法による化学処理能を解析し、本手法による反応場設計の学理を構築する。
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