研究課題/領域番号 |
23K22789
|
研究種目 |
基盤研究(B)
|
配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分21050:電気電子材料工学関連
|
研究機関 | 東京工業大学 |
研究代表者 |
間中 孝彰 東京工業大学, 工学院, 教授 (20323800)
|
研究分担者 |
田口 大 東京工業大学, 工学院, 准教授 (00531873)
|
研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2026-03-31
|
研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
|
配分額 *注記 |
5,720千円 (直接経費: 4,400千円、間接経費: 1,320千円)
2025年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2024年度: 3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
|
キーワード | 有機デバイス / 素子劣化 / 分光計測 |
研究開始時の研究の概要 |
素子の「劣化」は本質的に防ぐことはできないが、封止などの対策により進行を遅くすることはできる。一方、これらの対策は経験則に基づいており、学術的に定着しているとはいえない。本研究では、「劣化」のサイエンスとして確立するため、動作下にあるデバイスを対象としたオペランド測定と、申請者が独自開発した電界イメージング技術を組み合わせ、多角的かつ系統的に議論を進める。特に、超高速電界イメージングによって劣化が生じる前の前駆現象を捉え、劣化の進行をその場観察によってモニターし、その上で劣化によって生じた変化を化学的に評価するといった一連の検討から、「劣化とは何か?」という学術的「問い」に対して答えていく。
|