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強誘電性κ-Ga2O3の超低消費電力パワーデバイスの開拓

研究課題

研究課題/領域番号 23K22797
補助金の研究課題番号 22H01527 (2022-2023)
研究種目

基盤研究(B)

配分区分基金 (2024)
補助金 (2022-2023)
応募区分一般
審査区分 小区分21050:電気電子材料工学関連
研究機関京都工芸繊維大学

研究代表者

西中 浩之  京都工芸繊維大学, 電気電子工学系, 准教授 (70754399)

研究分担者 池永 訓昭  金沢工業大学, 工学部, 准教授 (30512371)
蓮池 紀幸  京都工芸繊維大学, 電気電子工学系, 助教 (40452370)
上田 修  明治大学, 研究・知財戦略機構(生田), 研究推進員(客員研究員) (50418076)
宮戸 祐治  龍谷大学, 先端理工学部, 准教授 (80512780)
研究期間 (年度) 2022-04-01 – 2025-03-31
研究課題ステータス 交付 (2024年度)
配分額 *注記
17,680千円 (直接経費: 13,600千円、間接経費: 4,080千円)
2024年度: 4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2023年度: 4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2022年度: 9,100千円 (直接経費: 7,000千円、間接経費: 2,100千円)
キーワード酸化ガリウム / ミストCVD法 / 強誘電体 / 混晶 / 結晶成長 / ミストCVD / 高移動度トランジスタ / 単一ドメイン
研究開始時の研究の概要

本研究は超低消費電力の高周波スイッチングデバイスの確立に向けて、酸化ガリウムの結晶多形の一つであるκ型の開拓を行う。このκ型は酸化ガリウムの中で唯一強誘電性を持ち、大きな自発分極を有する。この強誘電性を利用した新構造の低消費スイッチングデバイスの検討をする。本研究期間で大きな自発分極を利用した高濃度の二次元電子ガスの形成の実証と、強誘電性を利用したノーマリーオフ型のヘテロ接合型のデバイスの実証を行う。また、このκ型の酸化ガリウムの基礎物性を解明して、デバイス/材料の両面から半導体材料としての可能性を開拓する。

研究実績の概要

本研究では、酸化ガリウム(Ga2O3)の中で唯一分極をもつ強誘電体のκ-Ga2O3の高電子移動度トランジスタ(HEMT)を形成して、GaNを超える高周波デバイスが実現できるかどうかを明らかにする。その検討では、GaNを超える大きな分極を利用した高濃度の二次元電子ガスの実証、その二次元電子ガスを用いたHEMT動作の実証、強誘電体特性を利用したノーマリーオフ動作の実証、κ-Ga2O3の基礎物性の解明の検討を進める。
二次元電子ガスの実証に向けて、κ-Ga2O3/κ-(InxGa1-x)2O3とκ-(AlxGa1-x)2O3/κ-Ga2O3の積層構造を形成し、コヒーレント成長することに成功した。コヒーレント成長したものの電気特性評価がまだできていない。これは電極のオーミック特性などが十分でないためである。また、ε-GaFeO3基板からのFeの拡散の影響を低減するために格子整合するκ-(InxGa1-x)2O3の厚膜化の検討を行った。格子整合するため厚膜化してもクラックなどが導入されないことが分かった。現在はこの厚膜化したκ-(InxGa1-x)2O3の電気特性の評価や積層膜の形成の検討を行っている。
また、κ-Ga2O3はGa2O3の準安定相の一つであるが、他の準安定相のδ-Ga2O3の形成を行い、その物性評価を進めている。そのバンドギャップは4.9~5.0 eV程度であることがPLE測定などから明らかにした。また、フォトディテクタ動作の検討を行い、このδ-Ga2O3が半導体であることを初めて実証した。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

3: やや遅れている

理由

ヘテロ接合の形成まで達成したものの、まだ電気特性評価ができていない。電気特性評価を妨げているのは、十分なオーミック特性が取れていないことなとが考えられるため、今後RTAによるオーミック特性の改善などを行い、二次元電子ガスの検証を進めていく。
一方でκ-Ga2O3の基礎物性評価は順調に進んでいる。単一ドメインのラマン測定やPL/PLE測定などを国外の研究機関と共同研究しており、従来の回転ドメインがある結晶では得られなかった結果が得られてきている。また、ε-GaFeO3上のGa2O3の欠陥評価も進めており、臨界膜厚の評価や転位評価も進めている。これらの結果は単一ドメインのκ-Ga2O3しか行うことができず、本研究によって明らかにできている。さらにε-GaFeO3上のMBE成長したGa2O3の検討なども国外の研究機関と共同研究で行っている。

今後の研究の推進方策

κ-(InxGa1-x)2O3の厚膜を形成することでFeの拡散の影響を低減することに成功しているため、このκ-(InxGa1-x)2O3を利用して、ヘテロ接合を形成し、まずは二次元電子ガスの実証を進めていく。二次元電子ガスが実証できれば、その後高電子移動度トランジスタの作製を行い、その動作実証、評価を進めていく。
また、κ-(InxGa1-x)2O3の厚膜化によって、単一ドメインのκ-Ga2O3の導電性の評価も可能となった。κ-Ga2O3系の物性評価としてドナー添加による導電性の制御の検討も進め、その電気的特性評価を
また、基礎物性の解明について、転位評価では平面TEM評価を行うことで転位の同定を進めていく。また、ε-GaFeO3上のκ-Ga2O3の臨界膜厚の評価、ラマン分光評価、PL/PLE評価なども継続評価していく。

報告書

(2件)
  • 2023 実績報告書
  • 2022 実績報告書
  • 研究成果

    (61件)

すべて 2024 2023 2022 その他

すべて 国際共同研究 (7件) 雑誌論文 (15件) (うち国際共著 1件、 査読あり 15件、 オープンアクセス 7件) 学会発表 (37件) (うち国際学会 15件、 招待講演 4件) 産業財産権 (2件)

  • [国際共同研究] パルマ大学(イタリア)

    • 関連する報告書
      2023 実績報告書
  • [国際共同研究] ポールドルーデ研究所/ベルリン工科大学(ドイツ)

    • 関連する報告書
      2023 実績報告書
  • [国際共同研究] バレンシア大学(スペイン)

    • 関連する報告書
      2023 実績報告書
  • [国際共同研究] パルマ大学(イタリア)

    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
  • [国際共同研究] ポールドルーデ研究所(ドイツ)

    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
  • [国際共同研究] ベルリン工科大学(ドイツ)

    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
  • [国際共同研究] バレンシア大学(スペイン)

    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
  • [雑誌論文] Crystallographic and band structure analysis of β-(AlxGa1-x)2O3/β-(InyGa1-y)2O3 thin film grown on β-Ga2O3 substrate via mist CVD2024

    • 著者名/発表者名
      Kaneko Masahiro、Nishinaka Hiroyuki、Yoshimoto Masahiro
    • 雑誌名

      AIP Advances

      巻: 14 号: 4 ページ: 045102-045102

    • DOI

      10.1063/5.0190684

    • 関連する報告書
      2023 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] Demonstration of vertical schottky barrier diodes based on α-Ga2O3 thin films enabled by corundum structured rh-ITO bottom electrodes2024

    • 著者名/発表者名
      Shimazoe Kazuki、Nishinaka Hiroyuki、Yoshimoto Masahiro
    • 雑誌名

      MRS Advances

      巻: - 号: 9 ページ: 646-650

    • DOI

      10.1557/s43580-024-00785-5

    • 関連する報告書
      2023 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Heteroepitaxial growth of a-, m-, and r-plane α-Ga2O3 thin films on rh-ITO electrodes for vertical device applications2024

    • 著者名/発表者名
      Shimazoe Kazuki、Nishinaka Hiroyuki、Yoshimoto Masahiro
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 630 ページ: 127596-127596

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2024.127596

    • 関連する報告書
      2023 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] High conductivity of n-type β-Ga2O3(010) thin films achieved through Si doping by mist chemical vapor deposition2024

    • 著者名/発表者名
      Hosaka Shoma、Nishinaka Hiroyuki、Ogawa Temma、Miyake Hiroki、Yoshimoto Masahiro
    • 雑誌名

      AIP Advances

      巻: 14 号: 1 ページ: 015040-015040

    • DOI

      10.1063/5.0182448

    • 関連する報告書
      2023 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] ユビキタスデバイス開発を加速する新しいエレクトロニクス材料2023

    • 著者名/発表者名
      NISHINAKA Hiroyuki
    • 雑誌名

      材料

      巻: 72 号: 10 ページ: 750-756

    • DOI

      10.2472/jsms.72.750

    • ISSN
      0514-5163, 1880-7488
    • 年月日
      2023-10-15
    • 関連する報告書
      2023 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] TEM characterization of defects in κ-(InxGa1-x)2O3 thin film grown on (001) FZ-grown ε-GaFeO3 substrate by mist CVD2023

    • 著者名/発表者名
      Ueda Osamu、Nishinaka Hiroyuki、Ikenaga Noriaki、Hasuike Noriyuki、Yoshimoto Masahiro
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 62 号: 12 ページ: 125501-125501

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ad07fb

    • 関連する報告書
      2023 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Epitaxial Growth of δ‐Ga2O3 Thin Films Grown on YSZ and Sapphire Substrates Using β‐Fe2O3 Buffer Layers via Mist Chemical Vapor Deposition2023

    • 著者名/発表者名
      Kato Takahiro、Nishinaka Hiroyuki、Shimazoe Kazuki、Yoshimoto Masahiro
    • 雑誌名

      physica status solidi (a)

      巻: - 号: 13 ページ: 2300582-2300582

    • DOI

      10.1002/pssa.202300582

    • 関連する報告書
      2023 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Vertical self-powered ultraviolet photodetector using α-Ga2O3 thin films on corundum structured rh-ITO electrodes2023

    • 著者名/発表者名
      Shimazoe Kazuki、Nishinaka Hiroyuki、Taniguchi Yoko、Kato Takahiro、Kanegae Kazutaka、Yoshimoto Masahiro
    • 雑誌名

      Materials Letters

      巻: 341 ページ: 134282-134282

    • DOI

      10.1016/j.matlet.2023.134282

    • 関連する報告書
      2023 実績報告書 2022 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Corundum-structured α-Fe2O3 substrates for α-Ga2O3 epitaxial growth2023

    • 著者名/発表者名
      Nishinaka Hiroyuki、Shimazoe Kazuki、Kanegae Kazutaka、Yoshimoto Masahiro
    • 雑誌名

      Materials Letters

      巻: 336 ページ: 133784-133784

    • DOI

      10.1016/j.matlet.2022.133784

    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Coherent growth of β-(AlxGa1-x)2O3 alloy thin films on (010) β-Ga2O3 substrates using mist CVD2023

    • 著者名/発表者名
      Kaneko Masahiro、Nishinaka Hiroyuki、Kanegae Kazutaka、Yoshimoto Masahiro
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 62 号: SF ページ: SF1002-SF1002

    • DOI

      10.35848/1347-4065/acb065

    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Homoepitaxial growth of Ge doped β-gallium oxide thin films by mist chemical vapor deposition2023

    • 著者名/発表者名
      Ogawa Temma、Nishinaka Hiroyuki、Shimazoe Kazuki、Nagaoka Tatsuji、Miyake Hiroki、Kanegae Kazutaka、Yoshimoto Masahiro
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 62 号: SF ページ: SF1016-SF1016

    • DOI

      10.35848/1347-4065/acba25

    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] Demonstration of Bixbyite-Structured δ-Ga2O3 Thin Films Using β-Fe2O3 Buffer Layers by Mist Chemical Vapor Deposition2023

    • 著者名/発表者名
      Kato Takahiro、Nishinaka Hiroyuki、Shimazoe Kazuki、Kanegae Kazutaka、Yoshimoto Masahiro
    • 雑誌名

      ACS Applied Electronic Materials

      巻: 5 号: 3 ページ: 1715-1720

    • DOI

      10.1021/acsaelm.2c01750

    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] LiTaO<sub>3</sub>基板上へのα-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>の成長にα-Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub>バッファ層の成長時間が与える影響2022

    • 著者名/発表者名
      SHIMAZOE Kazuki、NISHINAKA Hiroyuki、ARATA Yuta、YOSHIMOTO Masahiro
    • 雑誌名

      材料

      巻: 71 号: 10 ページ: 830-834

    • DOI

      10.2472/jsms.71.830

    • ISSN
      0514-5163, 1880-7488
    • 年月日
      2022-10-15
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] Growth of indium-incorporated κ-Ga2O3 thin film lattice-matched to the ε-GaFeO3 substrate2022

    • 著者名/発表者名
      Nishinaka Hiroyuki、Ueda Osamu、Ikenaga Noriaki、Hasuike Noriyuki、Yoshimoto Masahiro
    • 雑誌名

      Materials Letters: X

      巻: 14 ページ: 100149-100149

    • DOI

      10.1016/j.mlblux.2022.100149

    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] Thermodynamically metastable α-, ε- (or κ-), and γ-Ga2O3: From material growth to device applications2022

    • 著者名/発表者名
      Biswas Mahitosh、Nishinaka Hiroyuki
    • 雑誌名

      APL Materials

      巻: 10 号: 6 ページ: 060701-060701

    • DOI

      10.1063/5.0085360

    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著
  • [学会発表] Mist CVD for tailoring five polymorphs via epitaxial techniques2024

    • 著者名/発表者名
      H. Nishinaka,
    • 学会等名
      SPIE Photonics West
    • 関連する報告書
      2023 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] 可視光応答型光触媒応用に向けた Bi 添加In2O3 薄膜およびナノロッドの作製とその光学特性評価2024

    • 著者名/発表者名
      谷口陽子,西中浩之,島添和樹,川原村敏幸,鐘ケ江一孝,吉本昌広
    • 学会等名
      材料学会半導体エレクロトニクス部門委員会第3回研究会
    • 関連する報告書
      2023 実績報告書
  • [学会発表] Vertical α-Ga2O3 Device Applications Enabled by Same Crystal Structured Indium Tin Oxide Electrode via Mist Chemical Vapor Deposition2023

    • 著者名/発表者名
      K. Shimazoe, H. Nishinaka, T. Ogawa, and M. Yoshimoto
    • 学会等名
      2023 MRS Fall Meeting
    • 関連する報告書
      2023 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Comparative Study of Temperature-Dependent Bandgap Transitions in Ga2O3 Polymorphs2023

    • 著者名/発表者名
      Benjamin M. Janzen, N. Hajizadeh, M. Meiner, M, Marggraf, C. Hartung, Z. Galazka, P. Mazzolini, A. Sacchi, R. Fornari, C. Petersen, H. von Wenckstern, M. Grundmann, E. Kluth, M. Feneberg, R. Goldhahn, T. Oshima, T. Kato, H. Nishinaka, J. Varley, M. Wagner
    • 学会等名
      The 6th U.S. Galium Oxide Workshop
    • 関連する報告書
      2023 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Mist chemical vapor deposition of α-Ga2O3 and α-Fe2O3 thin films on corundum-structured rh-ITO electrode2023

    • 著者名/発表者名
      K. Shimazoe, H. Nishinaka, T. Kato, Y. Taniguchi, and M. Yoshimoto
    • 学会等名
      International Conference on Crystal Growth and Epitaxy 20th
    • 関連する報告書
      2023 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Tailoring Five Polymorphs of Ga2O3 using Mist CVD"2023

    • 著者名/発表者名
      H. Nishinaka, K. Shimazoe, M. Kaneko, T. Ogawa, T. Kato, Y. Taniguchi, and M. Yoshimoto
    • 学会等名
      Ultra-wide bandgap oxides 2023
    • 関連する報告書
      2023 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Incorporation of Bismuth into In2O3 and Ga2O3 thin films to introduce intermediate levels2023

    • 著者名/発表者名
      Y. Taniguchi, H. Nishinaka, K. Shimazoe, T. Kawaharamura, and M. Yoshimoto
    • 学会等名
      Ultra-wide bandgap oxides 2023,
    • 関連する報告書
      2023 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Epitaxial growth of δ-Ga2O3 thin films using β-Fe2O3 buffer layers grown on YSZ and sapphire substrates by mist CVD2023

    • 著者名/発表者名
      T. Kato, H. Nishinaka, K. Shimazoe, and M. Yoshimoto
    • 学会等名
      Compound Semiconductor Week 2023
    • 関連する報告書
      2023 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Visible-light absorption of In2O3 thin films and nanorods by incorporation of Bismuth for visible light-responsive photocatalyst2023

    • 著者名/発表者名
      Y. Taniguchi, H. Nishinaka, K. Shimazoe, T. Kawaharamura, K. Kanegae, and M. Yoshimoto
    • 学会等名
      European Materials Research Society 2023 Spring Meeting
    • 関連する報告書
      2023 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] α-(Ga,Fe)2O3光電極のミストCVD成長とその評価2023

    • 著者名/発表者名
      近藤良,島添和樹, 西中浩之,吉本昌広
    • 学会等名
      第52回結晶成長国内会議(JCCG-52)
    • 関連する報告書
      2023 実績報告書
  • [学会発表] コランダム構造酸化物ヘテロ構造のミストCVD成長とデバイス応用2023

    • 著者名/発表者名
      島添和樹, 西中浩之,吉本昌広
    • 学会等名
      第52回結晶成長国内会議(JCCG-52)
    • 関連する報告書
      2023 実績報告書
  • [学会発表] ミスト CVD 法によるビックスバイト構造 δ-Ga2O3 薄膜を用いた紫外光検出器2023

    • 著者名/発表者名
      加藤貴大, 西中浩之, 島添和樹,吉本昌広
    • 学会等名
      第20回薄膜材料デバイス研究会
    • 関連する報告書
      2023 実績報告書
  • [学会発表] Realizing Vertical Corundum-Structured Oxide Devices with Rhombohedral Indium Tin Oxide Bottom Electrode2023

    • 著者名/発表者名
      島添和樹,西中浩之, 吉本昌広
    • 学会等名
      The 42th Electronic Materials Symposium
    • 関連する報告書
      2023 実績報告書
  • [学会発表] ミストCVDによるSiドープβ-Ga2O3薄膜のホモエピタキシャル成長2023

    • 著者名/発表者名
      保坂祥馬,西中浩之,小川典真,三宅裕樹,吉本昌広
    • 学会等名
      第84回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2023 実績報告書
  • [学会発表] (001) FZ成長ε-GaFeO3基板上にミストCVD成長したκ-(InxGa1-x)2O3薄膜中の欠陥のTEM評価2023

    • 著者名/発表者名
      上田修, 西中浩之,池永訓昭, 蓮池紀幸,吉本昌広
    • 学会等名
      第70回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
  • [学会発表] ミストCVD法による(001) β-Ga2O3薄膜のホモエピタキシャル成長2023

    • 著者名/発表者名
      上田遼, 西中浩之,永岡達司, 三宅裕樹,吉本昌広
    • 学会等名
      第70回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
  • [学会発表] α-Ga2O3/rh-ITO構造のヘテロエピタキシャル成長と深紫外フォトディテクタの試作2023

    • 著者名/発表者名
      島添和樹, 西中浩之,加藤貴大, 谷口陽子,鐘ケ江一孝,吉本昌広
    • 学会等名
      第70回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
  • [学会発表] Ga2O3の結晶成長とその特性評価:HEMT応用が期待される新規相のκ-Ga2O32023

    • 著者名/発表者名
      西中浩之
    • 学会等名
      (独)日本学術振興会第R032委員会 第11 回研究会「パワー関連半導体の将来展望」
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Alloying β-(AlxGa1-x)2O3 thin films grown on (010) β-Ga2O3 substrates by mist CVD2022

    • 著者名/発表者名
      K. Kaneko, H. Nishinaka, Y. Kajita, K. Kanegae, and M. Yoshimoto
    • 学会等名
      The 2022 International Meeting for Future of Electron Decives, Kansai
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] TEM characterization of defects in κ-(Ga1-xInx)2O3 thin film grown on (001) FZ-grown ε-GaFeO3 substrate by Mist CVD2022

    • 著者名/発表者名
      O. Ueda, H. Nishinaka, N. Ikenaga, N. Hasuike, and M. Yoshimoto
    • 学会等名
      The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Epitaxial growth of β-(AlxGa1-x)2O3 and β-(InxGa1-x)2O3 alloy thin films on (010) β-Ga2O3 substrates via mist chemical vapor deposition2022

    • 著者名/発表者名
      M. Kaneko, H. Nishinaka, Y. Kajita, and M. Yoshimoto
    • 学会等名
      The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Demonstration of δ-Ga2O3 epitaxial thin films using β-Fe2O3 buffer layers by mist CVD2022

    • 著者名/発表者名
      T. Kato, H. Nishinaka, K.Shimazoe, and M. Yoshimoto
    • 学会等名
      The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Homoepitaxial growth of Ge-doped β-Ga2O3 films by mist chemical vapor deposition2022

    • 著者名/発表者名
      T. Ogawa, H. Nishinaka, K.Shimazoe, T. Nagaoka, H. Miyake, and M. Yoshimoto
    • 学会等名
      The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Single-domain κ-Ga2O3 thin films grown on ε-GaFeO3 substrates by mist CVD2022

    • 著者名/発表者名
      H. Nishinaka, O. Ueda, N. Ikenaga, N. Hasuike, and M. Yoshimoto
    • 学会等名
      The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Epitaxial growth of Mo-doped Indium Oxide (IMO) thin film on (111)YSZ by mist chemical vapor deposition.2022

    • 著者名/発表者名
      T. Ishino, K. Shimazoe, H. Nishinaka, and M. Yoshimoto
    • 学会等名
      8th International Symposium on Transparent Conductive Materials and 12th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] ミストCVD法によるYSZ基板上アンドープおよびSnドープhexagonal-InGaO3混晶薄膜のエピタキシャル成長2022

    • 著者名/発表者名
      小倉有莉, 新田悠汰, 池之上卓己, 鐘ケ江一孝 ,西中浩之, 吉本 昌広
    • 学会等名
      第32回日本MRS年次大会
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
  • [学会発表] ミストCVD法を用いた(010)β-Ga2O3基板上へのβ-(AlxGa1-x)2O3/β-(InxGa1-x)2O3薄膜の成長2022

    • 著者名/発表者名
      金子真大,西中浩之,鐘ケ江一孝,吉本昌広
    • 学会等名
      2022年度材料学会半導体エレクロトニクス部門委員会第2回研究会, 2022年度第1回ナノ材料部門委員会第1回研究会
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
  • [学会発表] 酸化ガリウムの薄膜形成技術とその開発動向2022

    • 著者名/発表者名
      西中浩之
    • 学会等名
      薄膜材料デバイス研究会第19回研究集会
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Visible-light responsive photocatalyst of Bismuth incorporation into In2O3 thin films by mist CVD2022

    • 著者名/発表者名
      谷口陽子, 西中浩之,島添和樹,川原村敏幸,鐘ケ江一孝, 吉本昌広
    • 学会等名
      The 41th Electronic Materials Symposium
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
  • [学会発表] Epitaxial growth of bixbyite structured delta-Ga2O3 thin films using the same structured beta-Fe2O3 buffer layers by Mist CVD2022

    • 著者名/発表者名
      加藤貴大, 西中浩之,島添和樹,鐘ケ江一孝, 吉本昌広
    • 学会等名
      The 41th Electronic Materials Symposium
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
  • [学会発表] Epitaxial growth of β-(AlxGa1-x)2O3 thin films on (010) β-Ga2O3 substrates by mist CVD2022

    • 著者名/発表者名
      金子真大, 西中浩之, 鐘ケ江一孝, 吉本昌広
    • 学会等名
      The 41th Electronic Materials Symposium
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
  • [学会発表] ミストCVD法によるGeドープβ-Ga2O3薄膜のホモエピタキシャル成長2022

    • 著者名/発表者名
      小川典真, 西中浩之, 島添和樹, 鐘ケ江一孝, 吉本昌広
    • 学会等名
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
  • [学会発表] ミストCVD法によるβ-Fe2O3バッファ層を用いたδ-Ga2O3のエピタキシャル成長2022

    • 著者名/発表者名
      加藤貴大, 西中浩之, 島添和樹, 鐘ケ江一孝, 吉本昌広
    • 学会等名
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
  • [学会発表] ミストCVD法によるβ-(AlxGa1-x)2O3/β-(InxGa1-x)2O3/β-Ga2O3薄膜のヘテロエピタキシャル成長2022

    • 著者名/発表者名
      金子真大, 西中浩之, 鐘ケ江一孝, 吉本昌広
    • 学会等名
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
  • [学会発表] ε-GaFeO3基板を用いた単一ドメインκ-Ga2O3の成長2022

    • 著者名/発表者名
      西中浩之, 上田修, 迫秀樹, 池永訓昭, 宮戸祐治, 蓮池紀幸, 鐘ケ江一孝, 吉本昌広
    • 学会等名
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
  • [学会発表] Bi添加In2O3薄膜による可視光応答型光触媒反応の評価2022

    • 著者名/発表者名
      谷口陽子, 島添和樹, 西中浩之, 川原村敏幸, 鐘ケ江一孝, 吉本昌広
    • 学会等名
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
  • [学会発表] コランダム構造を有するrh-ITO上へのHfxZr1-xO2薄膜のミストCVD成長とその評価2022

    • 著者名/発表者名
      島添和樹,藤原悠希,田中将,西中浩之,吉本 昌広,野田実
    • 学会等名
      第39回強誘電体会議
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書
  • [産業財産権] 複合基板、半導体装置および複合基板の製造方法2023

    • 発明者名
      西中浩之
    • 権利者名
      西中浩之
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2023-129326
    • 出願年月日
      2023
    • 関連する報告書
      2023 実績報告書
  • [産業財産権] 基体および基体の製造方法2022

    • 発明者名
      西中浩之、加藤貴大、島添和樹
    • 権利者名
      西中浩之、加藤貴大、島添和樹
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2022-084916
    • 出願年月日
      2022
    • 関連する報告書
      2022 実績報告書

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公開日: 2022-04-19   更新日: 2024-12-25  

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