研究課題/領域番号 |
23K22798
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分21050:電気電子材料工学関連
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研究機関 | 早稲田大学 |
研究代表者 |
志村 考功 早稲田大学, 理工学術院(情報生産システム研究科・センター), 教授(任期付) (90252600)
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研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2025-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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配分額 *注記 |
5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2024年度: 5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
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キーワード | シリコンフォトニクス / ゲルマニウム / ゲルマニウムスズ / レーザー |
研究開始時の研究の概要 |
本研究課題は、シリコンプロセスと整合性の高いⅣ族材料でのレーザー光源の実証を目的とする。局所液相成長法はSiO2基板上に形成したアモルファスGeSn細線を局所的に溶融し、溶融しなかった固相部分(seed部)との界面から結晶成長を促し、単結晶GeSn細線を形成する手法である。本手法にレーザー溶融技術を導入することで制御性を高め、Ⅳ族GeSn材料でのレーザーダイオードを試作し、室温動作、低しきい値でのレーザー発振を目指す。
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