研究課題/領域番号 |
23K22801
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分21050:電気電子材料工学関連
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研究機関 | 東京工業大学 |
研究代表者 |
西村 昂人 東京工業大学, 工学院, 助教 (80822840)
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研究分担者 |
久野 恭平 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 助教 (30822845)
山田 明 東京工業大学, 工学院, 教授 (40220363)
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研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2026-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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配分額 *注記 |
3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
2025年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2024年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
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キーワード | 化合物太陽電池 / MoSe2 / 軽量型太陽電池 / 剥離技術 / カルコゲナイド |
研究開始時の研究の概要 |
本研究では、(a)格子歪を緩和かつ高価な成膜用基板を繰返し利用可能なエピタキシャル成長法の確立による大粒径で高品質な擬単結晶Cu(In,Ga)Se2(CIGS)発電層の創製と、(b)高効率・高靭性フレキシブル-両面受光擬単結晶CIGS太陽電池の開発、および表側に基板を有した素子構造における曲げ応力印加時のCIGS内部での電子輸送機構解明を目指す。
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