研究課題/領域番号 |
23K22810
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
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研究機関 | 筑波大学 |
研究代表者 |
矢野 裕司 筑波大学, 数理物質系, 准教授 (40335485)
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研究分担者 |
岩室 憲幸 筑波大学, 数理物質系, 教授 (50581203)
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研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2026-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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配分額 *注記 |
9,100千円 (直接経費: 7,000千円、間接経費: 2,100千円)
2025年度: 4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2024年度: 4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
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キーワード | SiC / 相補型インバータ / 超接合MOSFET |
研究開始時の研究の概要 |
本研究は、使いやすく小型高効率化が可能となるSiC半導体を用いたワンチップ相補型電力変換器に関するものである。n型素子に比べて抵抗の高いp型パワーMOSFETに対し、横型構造及び超接合構造を取り入れることで低抵抗化を図る。1kV級素子を設計・試作してp型素子の高耐圧・低損失化を実現する。さらに、p型とn型素子を組み合わせた相補型インバータ回路を同一基板上に形成し、SiCの特長を活かした小型・高耐圧・低損失・高周波動作が可能な新しいワンチップ相補型電力変換器の実現を目指す。
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