研究課題/領域番号 |
23K23050
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分26020:無機材料および物性関連
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研究機関 | 中部大学 |
研究代表者 |
山田 直臣 中部大学, 工学部, 教授 (50398575)
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研究分担者 |
村田 秀信 一般財団法人ファインセラミックスセンター, その他部局等, 上級研究員 (30726287)
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研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2026-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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配分額 *注記 |
6,110千円 (直接経費: 4,700千円、間接経費: 1,410千円)
2025年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
2024年度: 3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
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キーワード | 欠陥耐性半導体 / ヨウ化物 / 価電子帯上端 / 反結合性軌道 |
研究開始時の研究の概要 |
本研究は,未開拓の三元系銅ハライド(Cu-M-X)の中から反結合性軌道が価電子帯上端(VBM)を形成する,欠陥耐性半導体を網羅的に探索し,新たな欠陥耐性半導体群の開拓を行う.その際,「優れたハライド半導体はペロブスカイト構造」という固定観念を捨て,他の構造を中心に探索する.反結合VBMに着目した第一原理計算によるスクリーニングとベイズ最適化を用いた合成実験の組み合わせで広範囲をハイスループット探索し,欠陥耐性半導体群の飛躍的な拡張と,実験・計算結果を統合したデータベースの構築を行う.
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