研究課題/領域番号 |
23K23083
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分26040:構造材料および機能材料関連
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研究機関 | 滋賀県立大学 |
研究代表者 |
仲村 龍介 滋賀県立大学, 工学部, 教授 (70396513)
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研究分担者 |
石丸 学 九州工業大学, 大学院工学研究院, 教授 (00264086)
佐道 泰造 九州大学, システム情報科学研究院, 准教授 (20274491)
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研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2025-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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配分額 *注記 |
2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
2024年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
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キーワード | 半導体 / アモルファス / 結晶化 / 電子ビーム |
研究開始時の研究の概要 |
アモルファスGeSn薄膜を出発材料とし,室温で,数keV級の極めて低いエネルギーの電子ビームを照射する「非加熱方式」により,瞬間的かつ広域な結晶成長を促す.本研究では,(1)この手法の有効性を実証し,(2)瞬間結晶化(爆発的結晶化)が生じる構造的要因を明らかにし,そして,(3)得られた結晶膜の電気特性を評価する.最終年度の今年度には(3)の研究を行う.前半期にはガラスおよびポリマー基板上の薄膜において,3-10 keVの電子ビームを照射した場合に,爆発的結晶化が起こる薄膜の膜厚とエネルギー範囲の対応関係を解明する.後半期には電気特性の評価を実施する計画である.
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