研究課題/領域番号 |
23K23087
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分26040:構造材料および機能材料関連
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研究機関 | 京都先端科学大学 |
研究代表者 |
生津 資大 京都先端科学大学, 工学部, 教授 (90347526)
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研究分担者 |
内藤 宗幸 甲南大学, 理工学部, 教授 (10397721)
中村 康一 京都先端科学大学, 工学部, 教授 (20314239)
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研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2025-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2024年度: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
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キーワード | 電子線照射 / シリコンナノドット / Si酸化膜 / 破壊 / 強度 |
研究開始時の研究の概要 |
本研究では,Si酸化物が持つ脆性破壊問題に対し,電子線照射で局所還元させて形成するSiナノドットを巧みに配列させ,その周辺を応力集中源としてき裂進展経路を人為操作して高靭化する「材料強度アクティブ制御」技術を構築し,「高強度+極微小ばらつき」を実現する新しい強度制御法を提案する.Siナノドットの核形成~成長・結晶化に至るメカニズムを実験的/解析的に理解した上でSiナノドット配列の破壊強度への効果をナノ力学実験で実証する.高強度(平均強度50%UP)+極小ばらつき(従来比1/10)の目標達成に挑む.
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