研究課題
基盤研究(B)
本研究では、限りなく完全結晶状態に近い理想的な量子ドットを追究するため、量子ドット表面にシェル層をエピタキシャル成長させた「エピシェル型ペロブスカイト量子ドット」を創成する。本研究による量子ドットの自由自在な機能と構造の設計指針は量子ドットのポテンシャルを最大限に発揮させ、あらゆる機能実証に応じることができる。