研究課題/領域番号 |
23K23166
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補助金の研究課題番号 |
22H01898 (2022-2023)
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 基金 (2024) 補助金 (2022-2023) |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分28020:ナノ構造物理関連
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研究機関 | 東京大学 |
研究代表者 |
守谷 頼 東京大学, 生産技術研究所, 特任准教授 (30548657)
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研究期間 (年度) |
2022-04-01 – 2025-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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配分額 *注記 |
17,940千円 (直接経費: 13,800千円、間接経費: 4,140千円)
2024年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2023年度: 5,460千円 (直接経費: 4,200千円、間接経費: 1,260千円)
2022年度: 10,920千円 (直接経費: 8,400千円、間接経費: 2,520千円)
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キーワード | 遷移金属ダイカルコゲナイド / 共鳴トンネル |
研究開始時の研究の概要 |
本研究では数層のWSe2のサブバンド量子化準位を活用し2つの新しい創造を目指す。第一の創造は、二次元物質のもつ理想的なヘテロ界面技術と量子井戸光デバイスの融合である。TMDと絶縁体h-BNの多層膜を構築し、電流注入によるサブバンド間遷移型量子カスケードレーザーを最終目標とする。第二の創造は、2.5次元量子物性の開拓である。数層WSe2におけるサブバンド準位は、各層に波動関数が局在した特性を保ちつつ面直方向に波動関数が量子化する。この特異な波動関数から派生する新規量子物性の探索を行う。
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研究実績の概要 |
本年度は、数層遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)/トンネルバリア/数層TMDという二重量子井戸構造を作製し、作製した構造において共鳴トンネルを観測した。数層TMDがサ ブバンド量子化することを活用し、サブバンド量子化準位間の共鳴トンネルを実現した。TMDとしてWSe2をp型にドープした数層WSe2/h-BN/数層WSe2構造の作製に成功した。それぞれのp型WSe2へのオーミックコンタクトは高濃度p型ドープのp-MoS2を用いることで実現した。この素子構造において、2つのWSe2間に電圧を印加し、2つのWSe2の価電子帯のサブバンド同士の共鳴トンネル効果を実現した。共鳴トンネルの性能を示すピークバレー比として室温で7、低温で21という大きな値を実現した。この値は、これまでに報告されている二次元物質を用いた共鳴トンネル構造と比較して最大の値である。次にn型のWSe2を用いたn型WSe2/h-BN/n型WSe2構造において伝導帯サブバンドの共鳴トンネルの実験も行った。n型WSe2へのオーミックコンタクトについてはグラフェンを用いた。伝導帯サブバンドにおいてもサブバンド準位間の共鳴トンネルを観測した。さらに、本デバイスにおいては2つのn型WSe2の間の相対角度に依存した共鳴トンネル効果を観測した。これはn型WSe2の伝導帯バンドの特異な分散関係を反映しているためと現在考えている。これらの2種類のデバイスの評価により、サブバンド共鳴トンネルデバイスの最適化を達成した。
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現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
2: おおむね順調に進展している
理由
申請書に記載していた計画通り本年度は、数層TMD/トンネルバリア/数層TMDという二重量子井戸構造を作製し、p型WSe2/h-BN/p 型WSe2構造およびn型WS e2/h-BN/n型WSe2構造の両方においてサブバンド間共鳴トンネルの観測に成功した。さらに追加の成果として、p型WSe2/h-BN/p 型WSe2構造において共鳴トンネルのピークバレー比として室温で7、低温で21という二次元物質を用いた共鳴トンネル構造では最大の値を達成した。これらの理由より当初の計画を上回る成果をあげていると考えている。
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今後の研究の推進方策 |
今後はサブバンド間の遷移に伴う光吸収を実証するための光電流測定を目指して研究を行う。入射光の波長(長波長赤外光)がサブバンド間の遷移エネルギーと一致した時に、光電流の増大が確認できればサブバ ンド間光吸収の存在およびその吸収効率が特定できる。試料構造を最適化することにより、大きな光電流が得られればTMD材料を用いた初めてのサブバンド遷移型光検出器が実現できる。
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