研究課題/領域番号 |
23K23180
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分28030:ナノ材料科学関連
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研究機関 | 大阪公立大学 |
研究代表者 |
野内 亮 大阪公立大学, 大学院工学研究科, 准教授 (70452406)
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研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2025-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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配分額 *注記 |
1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2024年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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キーワード | 原子層半導体 / エッジ状態 / エッジ終端化 / ダングリングボンド / フェルミ準位ピニング |
研究開始時の研究の概要 |
従来のシリコン等の3次元半導体と違い、面内で結合が閉じた2次元構造を有する原子層半導体の場合、完全結晶では表面にダングリングボンドが無いため、ダングリングボンドの影響が軽視されてきた。しかし、研究代表者は、端(エッジ)自体は1~数原子の幅でしかないとしても、エッジのダングリングボンドがデバイス特性に及ぼす影響はマイクロメートルスケールに渡ることを見出し、エッジに局在する電子状態(=エッジ状態)の低減の必要性を明らかにした。本研究は、原子層半導体のエッジ状態を低減するためのプロセスの開発や、当該プロセスがデバイス動作へ及ぼす影響の解明を行うことにより、原子層半導体デバイスの性能向上を成し遂げる。
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