研究課題
基盤研究(B)
遷移金属酸化物は、既存の半導体には見られない特性を示すことから、次世代のエレクトロニクス基盤材料としての期待が大きい。しかし、今後、遷移金属酸化物をトランジスタやメモリなどの多様なデバイスに応用し、実用に適う超低消費電力動作を実現させるためには遷移金属酸化物を任意基板上で超薄膜形成させる汎用技術の開拓が必要不可欠である。本研究では、遷移金属酸化物の将来的なエレクトロニクスへの実装を視野に入れ、どこへでも貼り付け剥がすことのできる遷移金属ダイカルコゲナイド原子層を均一酸化させることで、任意基板上への転写が可能な遷移金属酸化物を超薄膜形成させる技術の確立を目指す。
