研究課題/領域番号 |
23K23203
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分29010:応用物性関連
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研究機関 | 公立千歳科学技術大学 |
研究代表者 |
田中 久暁 公立千歳科学技術大学, 理工学部, 准教授 (50362273)
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研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2025-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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配分額 *注記 |
2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
2024年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
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キーワード | 導電性高分子 / キャリアドーピング / 電解質ゲート法 / マイクロ波伝導 / 熱電変換 |
研究開始時の研究の概要 |
本研究では、導電性高分子薄膜において電荷キャリアが非局在化するための方法論を確立し、高い電荷輸送・熱電変換特性を実現させることを目標とする。そのため、材料設計、製膜手法、並びにキャリアドーピングの観点からキャリア非局在化をもたらす要因を探索し、高特性の発現につなげる。具体的には、マイクロ波を用いた微視的な電荷輸送評価法により高い輸送性能が潜在する材料を効率的に選別しつつ、高分子の主鎖配向化や精密なキャリア濃度制御を行い、高分子素子の高特性化を実現する。さらに、多様な物性測定を組み合わせ、薄膜の電荷輸送・熱電変換メカニズムを明らかにし、キャリア非局在化をもたらす指針解明を行う。
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