研究課題/領域番号 |
23K23226
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
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研究機関 | 奈良先端科学技術大学院大学 |
研究代表者 |
浦岡 行治 奈良先端科学技術大学院大学, 先端科学技術研究科, 教授 (20314536)
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研究分担者 |
上沼 睦典 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (20549092)
Bermundo J.P.S 奈良先端科学技術大学院大学, 先端科学技術研究科, 助教 (60782521)
來福 至 青山学院大学, 理工学部, 助教 (60936871)
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研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2025-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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配分額 *注記 |
5,330千円 (直接経費: 4,100千円、間接経費: 1,230千円)
2024年度: 5,330千円 (直接経費: 4,100千円、間接経費: 1,230千円)
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キーワード | 半導体 / 機能性薄膜 / 金属酸化物 / トランジスタ / 集積回路 |
研究開始時の研究の概要 |
申請者が永年培ってきた金属酸化物薄膜のプロセス・デバイス技術をベースに、原子層堆積(ALD)技術による新たに薄膜形成技術を確立し、これをチャネル材料とした縦型トランジスタと不揮発性メモリを試作、動作実証することで、その可能性を明らかにする。特に、ALD法による金属酸化物薄膜とゲート絶縁膜としての誘電体薄膜の界面の電子物性を詳しく調査し界面モデルを立案することで、本プロセスの優位性を学術的に明らかにする。
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