研究課題/領域番号 |
23K23230
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
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研究機関 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
研究代表者 |
山口 尚秀 国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター, 主幹研究員 (70399385)
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研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2025-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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配分額 *注記 |
2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
2024年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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キーワード | ダイヤモンド / 電界効果トランジスタ / 六方晶窒化ホウ素 / 移動度 / 量子輸送 |
研究開始時の研究の概要 |
ダイヤモンドは、ワイドバンドギャップ半導体としての優れた特徴から、パワーエレクトロニスや情報通信分野での応用が期待されている。われわれは最近、六方晶窒化ホウ素をゲート絶縁体とするダイヤモンドトランジスタを作製し、世界最高レベルのチャネル移動度を実現した。しかし、さらなる特性向上の余地や実用化に向けての課題が残されている。本研究では、より質の高いダイヤモンド/絶縁体ヘテロ界面の形成によって、GaN高移動度nチャネルトランジスタ(HEMT)に匹敵する高移動度pチャネルトランジスタの実現、新規量子輸送現象の発現、および実用に適したFET作製手法の開発を行う。
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