研究課題/領域番号 |
23K23236
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分30010:結晶工学関連
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研究機関 | 弘前大学 |
研究代表者 |
小林 康之 弘前大学, 理工学研究科, 教授 (90393727)
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研究分担者 |
中澤 日出樹 弘前大学, 理工学研究科, 教授 (90344613)
小豆畑 敬 弘前大学, 理工学研究科, 准教授 (20277867)
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研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2026-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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配分額 *注記 |
7,280千円 (直接経費: 5,600千円、間接経費: 1,680千円)
2025年度: 3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
2024年度: 3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
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キーワード | 六方晶窒化ホウ素 / 分子線エピタキシー / 窒化物半導体 |
研究開始時の研究の概要 |
GaN系デバイス構造は、発光ダイオード、高電子移動度トランジスタ等に応用され、幅広く社会で実用化されている。このGaN系デバイス構造を、土台となる基板から剥離し別の基板に転写することができれば、その応用範囲がより大きく広がる。本研究では、六方晶窒化ホウ素を剥離層として機械的に成長用基板から剥離し、他の基板に転写する剥離転写技術において、格子不整合が小さい金属バッファ層をサファイア基板上に成長し、その金属バッファ層上に高品質h-BN剥離層を実現し、そのh-BN層上のGaN系デバイス構造中の転位密度を低減することにより、剥離転写可能なGaN系デバイス構造の応用範囲をより大きく広げる研究である。
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