研究課題/領域番号 |
23K23242
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分30010:結晶工学関連
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研究機関 | 佐賀大学 |
研究代表者 |
嘉数 誠 佐賀大学, 理工学部, 教授 (50393731)
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研究分担者 |
SAHA・NILOY CHANDRA 佐賀大学, 理工学部, 助教 (20933089)
高橋 和敏 佐賀大学, シンクロトロン光応用研究センター, 教授 (30332183)
大石 敏之 佐賀大学, 理工学部, 教授 (40393491)
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研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2025-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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配分額 *注記 |
3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
2024年度: 3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
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キーワード | ダイヤモンド / ヘテロエピタキシャル成長 / パワー半導体 |
研究開始時の研究の概要 |
ダイヤモンド半導体は5.5eVのバンドギャップを有し、次々世代パワー半導体として期待 されている。応用上課題だったダイヤモンドウェハの大口径化は、申請者らによるサファイア基板上ダイヤヘテロエピタキシャル成長で2インチ径まで可能になった。 本研究は、結晶格子の異なる基板上に成長するダイヤモンドヘテロエピ成長の機構を学術的に解明するものである。本研究の成果は、次々世代パワー半導体デバイスの最重要な要素技術を確立し、半導体/金属/酸化物絶縁体という新結晶系の組合せのヘテロエピタキシャル成長の学術的分野を拓くものである。
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