研究課題/領域番号 |
23K23245
|
研究種目 |
基盤研究(B)
|
配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分30010:結晶工学関連
|
研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
研究代表者 |
三谷 武志 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 上級主任研究員 (90586306)
|
研究分担者 |
窪谷 茂幸 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 主任研究員 (70583615)
江藤 数馬 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 研究員 (70711828)
|
研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2025-03-31
|
研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
|
配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2024年度: 4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
|
キーワード | SiC / 転位変換 / 溶液成長法 / 昇華再結晶法 / ハイブリッド成長 |
研究開始時の研究の概要 |
溶液法による貫通らせん転位(TSD)低減機構と昇華法のバルク化技術を組み合わせたハイブリッド成長は、低コストと品質の掛け算を実現しSiC単結晶育成の世界標準となり得るポテンシャルを有している。「結晶成長における欠陥構造・伝播を自由に操るための欠陥エネルギー制御因子は何か」こそが、この技術の成否を握る核心的問いである。本研究では、(1)様々なマクロステップ形状で変換した基底面欠陥の構造解明、(2)ハイブリッド成長のオフ角・成長温度依存性から欠陥構造変化の活性化障壁の導出、(3)伝導変調による積層欠陥の自己エネルギー変化と欠陥制御性の関係解明を通じ、ハイブリッド成長による高品位結晶の実証に挑む。
|