研究課題/領域番号 |
23K23431
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分36010:無機物質および無機材料化学関連
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研究機関 | 山梨大学 |
研究代表者 |
柳 博 山梨大学, 大学院総合研究部, 教授 (30361794)
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研究分担者 |
有元 圭介 山梨大学, 大学院総合研究部, 准教授 (30345699)
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研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2025-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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配分額 *注記 |
3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
2024年度: 3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
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キーワード | SnS / TFT |
研究開始時の研究の概要 |
本研究ではn型化を実現した研究代表者の材料設計仮説をさらに展開することで真性半導体SnS単結晶を実現し、その欠陥抑制メカニズムを解明することで仮説を検証する。さらにこの成果を基に作製したSnS薄膜を用い、研究分担者が中心となってTFTデバイス作製プロセスを検討し高性能pチャンネルTFT、アンバイポーラTFTを実証しSnSを用いた次世代デバイスの作製指針を提言する。これらの成果を通して硫化物半導体の欠陥化学解明にも貢献する。
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