研究課題
基盤研究(B)
放射光施設で用いられる電子ビーム蛇行装置(アンジュレータ)の大幅な高精度・強磁場・短周期化は次世代放射光光源の飛躍的な性能向上における重要な課題となっている。本研究では、希土類銅酸化物バルク超伝導体を用いる新方式のアンジュレータ実用化に不可欠である、電子ビーム入射部近傍における磁場分布の高度な制御方法を確立し、放射光発生・利用に革新的な飛躍をもたらすことを目的とする。