強磁場サイクロトロン共鳴によるBiSbトポロジカル表面状態の検出

• 研究課題/領域番号: 23K25808
• 補助金の研究課題番号: 23H01111 (2023)
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 基金 (2024); 補助金 (2023)
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分13020:半導体、光物性および原子物理関連
• 研究機関: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
• 研究代表者: 今中 康貴 国立研究開発法人物質・材料研究機構, マテリアル基盤研究センター, グループリーダー (70354371)
• 研究分担者: 秋山 了太 東京大学, 大学院理学系研究科(理学部), 助教 (40633962)
• 研究期間 (年度): 2023-04-01 – 2026-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 18,720千円 (直接経費: 14,400千円、間接経費: 4,320千円); 2025年度: 4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円); 2024年度: 5,980千円 (直接経費: 4,600千円、間接経費: 1,380千円); 2023年度: 8,320千円 (直接経費: 6,400千円、間接経費: 1,920千円)
• キーワード: 強磁場分光 / トポロジカル物質 / サイクロトロン共鳴 / バンド間遷移 / 強磁場 / トポロジカル表面 / ビスマス

研究開始時の研究の概要

光電子分光によりビスマスおよびビスマスアンチモンの薄膜試料において見いだされている非自明な表面状態（トポロジカル表面）を、テラヘルツ分光の高度化と試料の高品質化を行うことで、サイクロトロン共鳴実験による検出を実現する。それにより磁気光学的手法のトポロジカル表面の研究への有効性を示すことを目指す。