| 研究課題/領域番号 |
23K26131
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| 補助金の研究課題番号 |
23H01437 (2023)
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 基金 (2024)
補助金 (2023) |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分21050:電気電子材料工学関連
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| 研究機関 | 北海道大学 |
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研究代表者 |
佐藤 威友 北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 准教授 (50343009)
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| 研究分担者 |
赤澤 正道 北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 准教授 (30212400)
三好 実人 名古屋工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (30635199)
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| 研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2026-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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| 配分額 *注記 |
18,980千円 (直接経費: 14,600千円、間接経費: 4,380千円)
2025年度: 3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2024年度: 4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2023年度: 10,270千円 (直接経費: 7,900千円、間接経費: 2,370千円)
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| キーワード | 窒化物半導体 / 界面制御 / トランジスタ |
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| 研究開始時の研究の概要 |
次世代無線通信用増幅器として期待されている窒化ガリウム(GaN)系トランジスタの高性能化には、電流の漏れを抑止する絶縁膜をゲート金属と半導体界面に挿入する構造が有望であるが、絶縁体／GaN系材料の物性は未解明である。本研究では、種々のGaN系材料界面について、その電子状態と電子伝導特性がトランジスタ特性に与える影響を明らかにし、GaN系トランジスタの動作安定性の向上と高性能化を目指す。低損傷加工技術を駆使したトランジスタの試作と、その動作の実験および理論的解析を進め、より広い電圧駆動領域で安定動作する「マルチチャネルトランジスタ」の開発につなげる。
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