電子線照射による量子ドット形成と黄色半導体レーザーへの応用

• 研究課題/領域番号: 23K26149
• 補助金の研究課題番号: 23H01455 (2023)
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 基金 (2024); 補助金 (2023)
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分21050:電気電子材料工学関連
• 研究機関: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
• 研究代表者: 秋本 良一 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (30356349)
• 研究期間 (年度): 2023-04-01 – 2026-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 18,980千円 (直接経費: 14,600千円、間接経費: 4,380千円); 2025年度: 4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円); 2024年度: 4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円); 2023年度: 10,920千円 (直接経費: 8,400千円、間接経費: 2,520千円)
• キーワード: 半導体レーザー / 量子ドット / 電子線 / 分子線エピタキシー

研究開始時の研究の概要

可視波長域の光を発生する半導体レーザーにおいて、波長560～590nmの黄色波長帯は研究レベルの報告はあるものの、実用化という点では未踏波長帯となっている。本研究では、レーザー活性層に量子ドットを導入したワイドギャップII-VI族半導体材料を用いて、黄色波長域で動作する信頼性の高い量子ドット半導体レーザーを実現することを目指す。結晶成長中に電子線照射することにより、高効率で黄色発光する量子ドットを形成する独自の方法を用いる点に特徴がある研究である。