| 研究課題/領域番号 |
23K26152
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| 補助金の研究課題番号 |
23H01458 (2023)
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 基金 (2024)
補助金 (2023) |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分21050:電気電子材料工学関連
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| 研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
浦野 千春 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 計量標準総合センター, 研究グループ長 (30356589)
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| 研究分担者 |
永崎 洋 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 首席研究員 (20242018)
三澤 哲郎 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 計量標準総合センター, 主任研究員 (40635819)
森田 行則 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 上級主任研究員 (60358190)
石田 茂之 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (90738064)
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| 研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2026-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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| 配分額 *注記 |
19,110千円 (直接経費: 14,700千円、間接経費: 4,410千円)
2025年度: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2024年度: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2023年度: 10,010千円 (直接経費: 7,700千円、間接経費: 2,310千円)
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| キーワード | 超伝導 / 高温超伝導体 / ジョセフソン接合 / ヘリウムイオンビーム / 描画加工 / 高温超伝導 / ヘリウムイオンビーム顕微鏡 / 物性制御 / 電圧標準 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
ジョセフソン接合は弱く結合した超伝導体からなるトンネル接合デバイスである。ジョセ フソン接合には様々な作製手法があるが、我々はヘリウムイオン顕微(HIM)技術を用いた描画加工によるジョセフソン接合の作製に注目 している。本研究では、デバイスの性能や再現性の向上のため、HIM描画加工による物性制御メカニズムの検討、新原理の発見・提案および原 子レベルでの材料評価手法の可能性検討に取り組む。
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