研究課題
基盤研究(B)
昨年度は歪超格子層にδドープを施すことにより、歪超格子を通した伝導度を上昇させることができた。本年度はGaNドリフト層に歪超格子などの層を数層導入することにより、転位密度を減少させ、ドリフト層の低抵抗化を図る。また、TEMなどにより、転位の様子を評価するとともに、転位密度の低減したドリフト層におけるキャリア密度を評価し、ドリフト層の構造にフィードバックすることによって、更なる特性改善を行う。また、実際にGaN/Si縦型デバイスを作製し、その電気特性の評価を行い、今後のデバイス特性改善のための情報を得る。