研究課題
基盤研究(B)
本研究は、電気的ストレスによる結晶欠陥の増殖というAlGaN/GaNヘテロ接合特有の物理に着目し、アバランシェ降伏による破壊のメカニズムを究明することを目的とする。その具体的な手段として、GaNトランジスタにストレス強度を段階的に上げながら単発ストレスを印加するのではなく、同一ストレスを繰り返し印加することで欠陥を緩やかに増殖させ、ストレス前後のリーク電流や静電容量、ゲートしきい値電圧などの電気的特性変化を定量的に計測することにより、欠陥誘起の箇所を導き、アバランシェ降伏によって破壊に至る過程を明らかにする。