三次元ヘテロジニアス集積技術を用いた1チップLiDARの開発

• 研究課題/領域番号: 23K26166
• 補助金の研究課題番号: 23H01472 (2023)
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 基金 (2024); 補助金 (2023)
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
• 研究機関: 早稲田大学
• 研究代表者: 北 智洋 早稲田大学, 理工学術院, 教授 (40466537)
• 研究分担者: タン ルイ 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 特任助教 (30929146)
• 研究期間 (年度): 2023-04-01 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 18,720千円 (直接経費: 14,400千円、間接経費: 4,320千円); 2026年度: 390千円 (直接経費: 300千円、間接経費: 90千円); 2025年度: 3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円); 2024年度: 7,280千円 (直接経費: 5,600千円、間接経費: 1,680千円); 2023年度: 7,280千円 (直接経費: 5,600千円、間接経費: 1,680千円)
• キーワード: シリコンフォトニクス / ヘテロジニアス集積 / LiDAR / 波長可変レーザ / 光フェーズドアレイ

研究開始時の研究の概要

シリコンと化合物半導体の長所を兼ね備えたヘテロジニアス光集積技術によって簡便な構成でありながら、超低消費電力・小型・高精度な1チップのLiDARを創出する事である。波長フィルタ等のパッシブな導波路デバイスの集積性・生産性に優れたシリコンフォトニクス(SiPh)と化合物半導体光増幅素子(SOA)及び高速変調素子において多くの実績を持つ化合物半導体の各々の長所を効果的に融合する事で非常に小型な1チップに光源までも集積化したLiDARを開発する。ヘテロジニアス接合技術を駆使することで低消費電力、高分解能な二次元レーザビームスキャナ及び周波数チャープ光を高繰り返しで発生可能なFMCW光源を開発する。