Geナノシートチャネルの精密構造制御及びvdWコンタクトにおけるキャリア輸送解明

• 研究課題/領域番号: 23K26168
• 補助金の研究課題番号: 23H01474 (2023)
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 基金 (2024); 補助金 (2023)
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
• 研究機関: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
• 研究代表者: 張 文馨 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (30796834)
• 研究分担者: 齊藤 雄太 東北大学, グリーンクロステック研究センター, 教授 (50738052)
• 研究期間 (年度): 2023-04-01 – 2026-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 18,850千円 (直接経費: 14,500千円、間接経費: 4,350千円); 2025年度: 5,330千円 (直接経費: 4,100千円、間接経費: 1,230千円); 2024年度: 5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円); 2023年度: 8,320千円 (直接経費: 6,400千円、間接経費: 1,920千円)
• キーワード: Ge / Sb2Te3 / Bi2Te3 / vdW接合 / GeOI (111)

研究開始時の研究の概要

本研究では、高度な選択エッチング技術、転写技術及びvan der Waals(vdW)コンタクト形成技術を駆使し、極薄Ge(111)ナノシートチャネルトランジスタの超高性能化の設計指針を提案する。原子レベルで精密制御されたGeナノシート構造の電子・ホール輸送の学術的理解と、ナノシートへのTe系層状物質/Ge(111) vdWコンタクトの系統的探索を追求することで、Ge(111)ナノシートの包括的なキャリア輸送機構を明らかにし、次世代ナノシートCMOS性能の向上に貢献することを目的とする。