磁性材料・構造を利用したスピンオービトロニクスの新展開

• 研究課題/領域番号: 23K26171
• 補助金の研究課題番号: 23H01477 (2023)
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 基金 (2024); 補助金 (2023)
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
• 研究機関: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
• 研究代表者: 日比野 有岐 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究員 (60895788)
• 研究期間 (年度): 2023-04-01 – 2026-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 19,370千円 (直接経費: 14,900千円、間接経費: 4,470千円); 2025年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円); 2024年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円); 2023年度: 14,950千円 (直接経費: 11,500千円、間接経費: 3,450千円)
• キーワード: スピントロニクス / スピンオービトロニクス / スピン軌道相互作用 / スピン流 / 磁気層間結合

研究開始時の研究の概要

スピンオービトロニクスは従来のスピントロニクスで用いられた電子の電荷とスピンの自由度に加え、電子軌道の自由度を取り入れた新たな分野であり、非磁性材料中のスピン軌道相互作用を利用したスピンホール効果を中心に発展してきた。本研究課題では従来の非磁性材料ではなく、磁性材料・構造に焦点を当てることで、スピンオービトロニクスの新たな展開を見出す。磁性材料・構造におけるスピン軌道相互作用や対称性の破れを積極的に利用することで、新奇スピン流生成現象の解明・高効率化の新たな指針を示し、スピンオービトロニクスの不揮発性磁気メモリ搭載に向けた応用展開の足掛かりを開拓する。