低融点金属液相を反応場とした半導体気相成長プロセスの開拓

• 研究課題/領域番号: 23K26432
• 補助金の研究課題番号: 23H01739 (2023)
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 基金 (2024); 補助金 (2023)
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分26060:金属生産および資源生産関連
• 研究機関: 京都大学
• 研究代表者: 野瀬 嘉太郎 京都大学, 工学研究科, 准教授 (00375106)
• 研究期間 (年度): 2023-04-01 – 2026-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 18,590千円 (直接経費: 14,300千円、間接経費: 4,290千円); 2025年度: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円); 2024年度: 8,970千円 (直接経費: 6,900千円、間接経費: 2,070千円); 2023年度: 4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
• キーワード: 化合物半導体 / 気相成長 / 化学ポテンシャル / 反応場 / 低融点金属

研究開始時の研究の概要

本研究では，Sn, Al, Pb. Gaなどの低融点金属を利用した新規気相成長プロセスの開拓に取り組む。従来のフラックス成長（溶液成長）の場合は，これら低融点金属液相における溶解度差を利用するが，本研究の手法は目的の化合物と低融点金属液相との二相共存から，蒸気圧差を利用して化合物を気体として単離することを特徴とする。
本研究ではよく知られた硫化物半導体，リン化物半導体をモデルケースとして，従来の成膜手法との違いを明確にすることで提案するプロセスの有用性を実証し，適用範囲を明確にする。また，従来の方法では成膜が困難な材料への適用を通して，新たな気相成長プロセスとしての展開を図る。